[发明专利]分段式天线组件

说明书

技术领域

本发明的实施例一般地关于一种用于等离子体增强式化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)装置的天线。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)是一工艺，通过这个工艺，化学前驱物(precursors)被引入处理室中，进行化学反应以形成预定的化合物或材料，并将化合物或材料沉积于处理室中的基板上。等离子体增强式化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)是一种通过激发处理室中的等离子体以增强前驱物间的反应的工艺。

PECVD工艺可用于处理大面积基板，例如，平板显示器或太阳能面板。PECVD也工艺也可用于沉积层，例如用于晶体管的硅基薄膜。一般来说，当基板尺寸增大，则处理室中的部件尺寸也必须增大。然而就大面积基板来说，维护及保养处理室中用以激发等离子体的射频(radio frequency,RF)硬件是相当麻烦的。举例来说，在传统的系统中，等离子体源通常包括跨越处理室高度的微波天线。此外，这种天线会和多个内部及外部处理室部件形成连接。由于取出并替换例如是天线的RF硬件部件时可能需要拆解多个处理室部件，如此将延长停工期并降低产量。例如，在传统系统中，移除并替换天线需将所述天线从微波发射组件中拆下，这是一个必需拆解多个RF部件的过程。因此，存在有以简单又有效率的方式来拆下及维护RF硬件部件的需求。

发明内容

本发明一般地关于一种用于等离子体增强式化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)装置的分段式天线。在一方面，装置包括具有上表面及下表面的处理室体、天线以及电介质层。天线包括第一段、第二段以及第三段。第二段电耦接于第一段，并延伸通过处理室体的内部空间。第三段电耦接于第二段。电介质层设置于所述第二段的外径的周围。

在另一方面，装置包括具有上表面及下表面的处理室体、天线、电介质层、第一微波发射组件以及第二微波发射组件。天线包括第一段、第二段以及第三段。第二段电耦接于第一段，并延伸通过处理室体的内部空间。第三段电耦接于第二段。电介质层设置于所述第二段的外径的周围。第一微波发射组件设置于处理室体的上表面上，并电耦接于天线的所述第一段。第二微波发射组件设置于所述处理室体的下表面，并电耦接于天线的第三段。

在另一方面，装置包括具有上表面及下表面的处理室体、天线以及电介质层。天线包括第一段、第二段以及第三段。第二段电耦接于第一段，并延伸通过处理室体的内部空间。第三段电耦接于第二段。电介质层设置于所述第二段的外径的周围。其中天线包括适用于传输冷却流体的中空导电管，这个中空导电管的外径约0.3英寸至0.5英寸，且电介质层包括氧化铝。

在另一方面，装置包括具有上表面及下表面的处理室体、天线、电介质层、第一耦接体以及第二耦接体。天线包括第一段、第二段以及第三段。第二段电耦接于第一段，并延伸通过处理室体的内部空间。第三段电耦接于第二段。电介质层设置于第二段的外径的周围。第一耦接体将第二段连接至第一段。第二耦接体将第二段连接至第三段，其中第一及第二耦接体包括螺纹及垫圈连接。

在另一方面，天线组件包括第一中空管、电介质层、第一耦接体以及第二耦接体。第一中空管为导电的。电介质层设置于第一中空管的周围。第一耦接体位于第一中空管的第一端上，用以形成与第二中空管的电连接及流体连接。第二耦接体位于第一中空管的第二端，用以形成与第三中空管的电连接及流体连接。

在另一方面，天线组件包括第一中空管、电介质层、第一耦接体以及第二耦接体。第一中空管为导电的。电介质层设置于第一中空管的周围。第一耦接体位于第一中空管的第一端，用以形成与第二中空管的电连接及流体连接。第二耦接体位于第一中空管的第二端，用以形成与第三中空管的电连接及流体连接。其中第一耦接体包括第一螺纹面，第一螺纹面用以将第一耦接体耦接至第二中空管，而第二耦接体包括第二螺纹面，第二螺纹面用以将第二耦接体耦接至第三中空管。

在又一方面，天线组件包括第一中空管、电介质层、第一耦接体以及第二耦接体。第一中空管为导电的。电介质层设置于第一中空管的周围。第一耦接体位于第一中空管的第一端，用以形成与第二中空管的电连接及流体连接。第二耦接体位于第一中空管的第二端，用以形成与第三中空管的电连接及流体连接。其中第一中空管以及电介质层用以在处理室中产生等离子体。