[发明专利]半导体制造装置的制造方法和半导体制造装置

权利要求书

1.一种半导体制造装置的制造方法，其用于利用等离子体对在基板上交替地层叠相对介电常数不同的第1膜和第2膜而成的多层膜进行蚀刻，在所述多层膜上形成规定形状的孔或者槽，所述半导体制造装置的制造方法的特征在于：

对与上部电极相对配置的下部电极，施加27MHz以上60MHz以下的等离子体生成用的高频电力和380kHz以上1MHz以下的偏置用的高频电力，

所述半导体制造装置的制造方法包括：

第1工序，其利用从包含含溴气体、含氯气体、含碘气体的至少任一种气体和第1流量的CF类气体的气体所生成的等离子体，实施将所述多层膜蚀刻至第1深度的蚀刻；

第2工序，其在所述第1工序之后，利用从包含含溴气体、含氯气体、含碘气体的至少任一种气体和与第1流量不同的第2流量的CF类气体的气体所生成的等离子体，实施将所述多层膜蚀刻至与所述第1深度不同的第2深度的蚀刻；和

第3工序，其在所述第2工序之后，实施过蚀刻直至所述孔或槽到达所述多层膜的基底层。

2.如权利要求1所述的半导体制造装置的制造方法，其特征在于：

至少在所述第3工序中对所述下部电极施加所述脉冲状的高频电力。

3.如权利要求2所述的半导体制造装置的制造方法，其特征在于：

从所述第2高频电源施加于所述下部电极的脉冲状的高频电力的占空比为20％～80％的范围内的任一值，且所述高频电力为0.2kHz～10kHz的调制脉冲。

4.如权利要求3所述的半导体制造装置的制造方法，其特征在于：

所述脉冲状的高频电力的占空比为50％～70％的范围内的任一值。

5.如权利要求1所述的半导体制造装置的制造方法，其特征在于：

在所述第2工序中供给的CF类气体的第2流量比在所述第1工序中供给的CF类气体的流量少。

6.如权利要求5所述的半导体制造装置的制造方法，其特征在于：

还包括第4工序，其在所述第1工序和第2工序之后且所述第3工序之前，利用包含含溴气体、含氯气体、含碘气体的至少任一种气体和第3流量的CF类气体的气体，将所述多层膜蚀刻至第3深度，

所述第3流量比所述第2流量更少。

7.如权利要求1所述的半导体制造装置的制造方法，其特征在于：

所述第3工序利用包含含溴气体、含氟气体、含氢和含碳气体的气体，实施所述过蚀刻。

8.如权利要求1所述的半导体制造装置的制造方法，其特征在于：

在所述第1工序、第2工序和所述第3工序的至少任一个中所使用的气体包含不活泼气体。

9.如权利要求1所述的半导体制造装置的制造方法，其特征在于：

在所述第1工序和第2工序中所使用的气体是含硫气体。

10.如权利要求9所述的半导体制造装置的制造方法，其特征在于：

在所述第1和第2工序中所使用的气体是硫化羰或六氟化硫。

11.如权利要求1所述的半导体制造装置的制造方法，其特征在于：

所述第1膜由氧化硅膜形成，所述第2膜由多晶硅形成。

12.如权利要求1所述的半导体制造装置的制造方法，其特征在于：

在所述多层膜中，所述第1膜和所述第2膜交替地层叠20层以上。

13.一种半导体制造装置，其特征在于：

用于利用所生成的等离子体对在基板上交替地层叠相对介电常数不同的第1膜和第2膜而成的多层膜进行蚀刻，在所述多层膜上形成规定形状的孔或槽，

所述半导体制造装置包括：

与上部电极相对配置的下部电极；

第1高频电源，其对所述下部电极施加27MHz以上60MHz以下的等离子体生成用的高频电力；

第2高频电源，其对所述下部电极施加380kHz以上1MHz以下的偏置用的高频电力；和

控制装置，其利用从包含含溴气体、含氯气体、含碘气体的至少任一种气体和第1流量的CF类气体的气体所生成的等离子体，实施将所述多层膜蚀刻至第1深度的蚀刻，

在所述第1工序之后，利用从包含含溴气体、含氯气体、含碘气体的至少一种气体和与第1流量不同的第2流量的CF类气体的气体所生成的等离子体，实施将所述多层膜蚀刻至与所述第1深度不同的第2深度的蚀刻，

在所述第2工序后，实施过蚀刻直至所述孔或槽到达所述多层膜的基底层。