[发明专利]使用可转移的重新分布层制造重新分布的电子器件的方法在审
| 申请号： | 201380007684.1 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN104094397A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | T·雷德;D·赫恩顿;S·邓菲 | 申请（专利权）人： | 哈里公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/66;H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 袁玥 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 转移 重新 分布 制造 电子器件 方法 | ||
1.具有重新分布层的电子器件的制造方法，包括：
提供具有第一图案的接触区域的电子器件；
在临时衬底上形成重新分布层，并且所述重新分布层具有匹配所述第一图案的接触区域的第二图案的接触区域和不同于所述第二图案的接触区域的第三图案的接触区域，所述第二图案的接触区域耦合到所述第三图案的接触区域；
将所述电子器件的所述第一图案的接触区域耦合到所述重新分布层的所述第二图案的接触区域；以及
从所述重新分布层去除所述临时衬底，由此形成重新分布的电子器件。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述临时衬底的大小对应于所述电子器件的大小。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述临时衬底的大小对应于多个电子器件的大小；以及，所述方法进一步包括将带有耦合到临时衬底的所述电子器件的所述临时衬底分割为所述重新分布的电子器件。
4.如权利要求3所述的方法，其中，所述分割是在去除所述临时衬底之前执行的。
5.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述重新分布层包括形成多个层叠的导电层。
6.如权利要求5所述的方法，其中，所述方法还包括在相邻的导电层之间形成钝化层。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括在所述第三图案的接触区域上形成互连结构。
8.如权利要求1所述的方法，其中，所述方法进一步包括：
在附加的临时衬底上形成附加的重新分布层，并且所述附加的重新分布层具有匹配所述第三图案的接触区域的第四图案的接触区域和不同于所述第四图案的接触区域的第五图案的接触区域，所述第四图案的接触区域耦合到所述第五图案的接触区域；
将所述重新分布层的所述第三图案的接触区域耦合到所述附加的重新分布层的所述第四图案的接触区域；以及
从所述附加的重新分布层去除所述附加的临时衬底。
9.如权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：在将所述第一图案的接触区域耦合到所述第二图案的接触区域之前测试所述电子器件。
10.如权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括在将所述第一图案的接触区域耦合到所述第二图案的接触区域之前测试所述重新分布层。
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