[发明专利]使用可转移的重新分布层制造重新分布的电子器件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子器件领域，更具体而言，涉及制造具有重新分布层(RDL)的电子器件的方法。

背景技术

常规的半导体器件封装通常是多层结构。常规半导体器件封装可以包括，例如，密封剂材料的底层、载体，半导体管芯，以及密封剂材料的顶层。除位于半导体管芯和载体的上面和下面之外，常规半导体器件封装的密封剂材料还可以横向地包围半导体器件和载体。另外，常规半导体器件封装通常还包括输入/输出元件以促进半导体器件与外部电子组件的电连接。

引线是常规输入/输出元件的示例。引线通常占用常规半导体器件封装的占用面积的尺寸，并因此，在半导体器件封装要被固定和电连接到的衬底(例如，电路板)上消耗不合需要的大量的面积。

这样的输入/输出元件的其他示例包括引脚、焊球或其他单独的导电结构(例如，凸块、球、柱等等)，它们占用常规半导体器件封装的厚度。当与常规密封剂和载体提供给常规半导体器件封装的总厚度的厚度耦合时，这样的单独的导电结构的添加的高度可能会导致半导体器件封装将从它被固定和电连接到的载体衬底上伸出不合需要的大距离。

为了跟上电子器件尺寸越来越小的趋势，开发了各种技术以缩小封装的半导体器件的尺寸。许多这些技术的结果是“芯片尺寸级封装”(CSP)，即带有大致与其半导体管芯的对应的侧向尺寸相同(即，稍微大于)的侧向尺寸的封装的半导体器件。

由于CSP的相对较小的、半导体管芯依赖的侧向尺寸，它们常常在所谓的“晶片级”形成，意味着，封装在将半导体器件与晶片或其他大尺寸级的衬底切开之前发生。在晶片级封装半导体器件避免了否则可能与在芯片级封装过程中处理这样的小组件相关联的困难。

这样的晶片级封装可以包括重新分布层(RDL)的形成，重新分布层可以将半导体器件的有效表面上的接合焊盘的连接模式重新排列或有效地扩展为更适用于连接到衬底的重新分布的连接模式。

在Choi等人的美国专利No.7,728,437中公开了包括RDL的半导体器件。Choi公开了包括以等于或大于最小节距的间隔安置的端子的半导体封装。该半导体封装包括具有在其上面形成了多个凸块的底表面的半导体芯片，在半导体芯片下面形成了重新分布层模式。每一个重新分布层包括电连接到至少一个凸块的第一部分和电连接到第一部分的第二部分。封装层包围半导体芯片的至少顶表面，在重新分布层模式下面形成模式化的绝缘层并暴露重新分布层模式的第二部分的至少某些部分。

然而，制造带有重新分布层的电子器件的方法的进一步的发展仍是被希望的。

发明内容

因此，根据前述的背景技术，本发明的目标是提供制造其上具有重新分布层的电子器件的方法。

根据本发明的此目标及其他目标，特征，以及优点是通过制造带有重新分布层的电子器件的方法来提供的，该方法包括提供具有第一图案的接触区域的电子器件，以及在临时衬底上形成重新分布层。临时衬底具有匹配第一图案的接触区域的第二图案的接触区域，以及不同于第二图案的接触区域的第三图案的接触区域。第二图案的接触区域耦合到第三图案的接触区域。第一图案的接触区域耦合到第二图案的接触区域。去除临时衬底，由此形成重新分布的电子器件。

临时衬底的大小可以对应于所述电子器件的大小。可另选地，临时衬底的大小可以对应于多个电子器件的大小，其中，所述方法还包括将带有耦合到临时衬底的电子器件的临时衬底分割为重新分布的电子器件。分割可以在去除临时衬底之前执行。

当临时衬底的大小对应于多个电子器件的大小时，临时衬底上的重新分布层可以彼此不同，这又使接合到临时衬底的电子器件彼此不同。

分别地形成电子器件和重新分布层是特别有利的，因为形成电子器件或重新分布层时的错误不会导致如通常在现有技术方法中发生的对另一方的破坏，在现有技术方法中，重新分布层直接在电子器件晶片上形成。

在一些应用中，形成重新分布层可以包括形成多个层叠的金属层。另外，还可以在相邻的金属层之间形成钝化层。可以在第三图案的接触区域上形成互连结构。互连结构可以包括引脚、焊盘、焊球等等。

附图说明

图1是根据本发明的将重新分布层耦合到晶片的方法的流程图。

图2是指出根据本发明的将附加的重新分布层耦合到晶片的方法中的可选步骤的流程图。

图3是电子器件晶片和临时衬底的示意视图。

图3A-3I是在本发明的方法的各个步骤中在临时衬底上形成重新分布层然后耦合到晶片的示意剖面图。