[发明专利]用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体构件

权利要求书

1.一种用于制造光电子半导体构件(1)的方法，具有下述步骤：

-提供具有载体上侧(20)的中间载体(2)；

-将多个光电子半导体芯片(3)安置在所述载体上侧(20)上，其中所述半导体芯片(3)彼此间隔开；

-建造成形体(4)，所述成形体沿横向方向环形地直接地包围所述半导体芯片(3)并且持久地彼此机械连接，其中所述半导体芯片(3)的至少一个主侧不具有所述成形体(4)的材料；和

-移除所述中间载体(2)，其中在建造所述成形体(4)之后并且在移除所述中间载体(2)之后将散热器(6)安装在所述半导体芯片(3)的和所述成形体(4)的背离所述中间载体(2)的下侧(35，45)上，

其中

-所述散热器(6)的厚度位于10μm和250μm之间，其中包括边界值，

-所述散热器(6)是能导电的并且制成所述半导体构件(1)的至少两个电接触部位(65)或者所述散热器(6)与所述半导体芯片(3)的半导体层序列(32)电绝缘。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体芯片(3)的辐射出射侧(30)在安置所述半导体芯片(3)时朝向所述载体上侧(20)，

其中所述半导体芯片(3)的热膨胀系数和所述成形体(4)的热膨胀系数最多彼此偏差因数4。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在移除所述中间载体(2)之后，进行所述半导体芯片(3)的电互联，其中通过将电连接机构(7)施加在所述辐射出射侧(30)上并且施加在所述成形体(4)的与所述辐射出射侧在一个平面中伸展的本体上侧(40)上来进行所述电互联，

其中所述连接机构(7)通过带状导线形成，所述带状导线平行于所述成形体(4)的本体上侧(40)和所述辐射出射侧(30)伸展并且与所述本体上侧和所述辐射出射侧直接接触，

其中所述辐射出射侧(30)和所述本体上侧(40)位于共同的平面中，和

其中在所述辐射出射侧(30)的俯视图中观察，所述成形体(4)和所述半导体芯片(3)不交叠。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中将所述散热器(6)在至少三个或者在全部的所述半导体芯片(3)之上连续地施加，其中不后续地对所述散热器(6)进行结构化。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中将所述散热器(6)电镀地或以预结构化的薄膜的形式施加。

6.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中将所述半导体芯片(3)施加到所述中间载体(2)上，使得所述半导体芯片(3)的全部电接触部位(36)位于朝向所述中间载体(2)的主侧(30)上。

7.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中所述半导体芯片(3)矩阵状地设置在所述中间载体(2)上，其中相邻的半导体芯片(3)之间的间距(L)的值位于10μm和250μm之间，其中包括边界值。

8.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中在建造所述成形体(4)之前将多个电穿引部(5)安置在所述载体上侧(2)上，其中所述电穿引部(5)的厚度大于或等于所述半导体芯片(3)的厚度(d)。

9.根据权利要求8所述的方法，其中将所述成形体(4)分割成多个所述半导体构件(1)，其中已制成的所述半导体构件(1)中的每个包括一个或多个所述半导体芯片(3)以及一个或多个所述电穿引部(5)。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所建造的所述成形体(4)具有至少100mm的平均直径，其中所述半导体芯片(3)连同所述电穿引部(5)一起的布置结构的平均的触点间距最多为3mm，并且所述成形体(4)构成为人工晶片，使得所述成形体(4)将所述半导体芯片(3)牢固地彼此机械连接。

11.根据权利要求2或3所述的方法，其中在移除所述中间载体(2)之后，进行所述半导体芯片(3)的电互联，其中通过将电连接机构(7)施加在所述辐射出射侧(30)上和/或施加在所述成形体(4)的与所述辐射出射侧在一个平面中伸展的本体上侧(40)上来进行所述电互联。