[发明专利]用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体构件

说明书

技术领域

提出一种用于制造光电子半导体构件的方法。此外，提出一种光电子半导体构件。

背景技术

在参考文献DE 10 2009 036 621 A1中提出一种光电子半导体器件。

发明内容

要实现的目的在于：提出一种能够从中有效地引出热量的光电子半导体构件。

此外，所述目的通过一种用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体构件来实现。优选的改进形式是实施例的主题。一种用于制造光电子半导体构件的方法，具有下述步骤：-提供具有载体上侧的中间载体；-将多个光电子半导体芯片安置在所述载体上侧上，其中所述半导体芯片彼此间隔开；-建造成形体，所述成形体沿横向方向环形地直接地包围所述半导体芯片并且持久地彼此机械连接，其中所述半导体芯片的至少一个主侧不具有所述成形体的材料；和-移除所述中间载体，其中在建造所述成形体之后并且在移除所述中间载体之后将散热器安装在所述半导体芯片的和所述成形体的背离所述中间载体的下侧上，其中-所述散热器的厚度位于10μm和250μm之间，其中包括边界值，-所述散热器是能导电的并且制成所述半导体构件的至少两个电接触部位或者所述散热器与所述半导体芯片的半导体层序列电绝缘。一种光电子半导体构件，具有-多个带有辐射出射侧的光电子半导体芯片；-成形体，所述成形体形状配合地且直接地覆盖所述半导体芯片的侧面，和-散热器，所述散热器安装在所述半导体芯片和所述成形体的下侧上，其中-所述散热器是能导电的并且制成所述半导体构件的至少两个电接触部位，或者所述散热器与所述半导体芯片的半导体层序列电绝缘，并且其中，-所述半导体构件能够被表面安装，-在所述辐射出射侧的俯视图中观察，所述成形体和所述半导体芯片不交叠。

根据半导体构件的至少一个实施方式，所述半导体构件包括一个或多个光电子半导体芯片。半导体芯片优选为发光二极管，简称LED。半导体芯片能够设立成用于在运行时发射紫外的、可见的和/或近红外的辐射。优选地，半导体芯片发射彩色光或白色光。半导体芯片能够具有芯片衬底和半导体层序列。因此，芯片衬底为承载半导体芯片的部件。芯片衬底能够为用于半导体层序列的生长衬底或者为与此不同的承载衬底。

半导体层序列优选基于III-V族化合物半导体材料。半导体材料例如为氮化物化合物半导体材料、如Al_nIn_1-n-mGa_mN或是磷化物化合物半导体材料、如Al_nIn_1-n-mGa_mP，或者也是砷化物化合物半导体材料、如Al_nIn_1-n-mGa_mAs，其中0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。在此，半导体层序列能够具有掺杂物以及附加的组成成分。然而，为了简单性起见仅说明半导体层序列的晶格的主要组成成分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使这些主要组成成分能够部分地由少量的其他物质替代和/或补充时也如此。

半导体层序列包括设立成用于产生电磁辐射的至少一个有源层。有源层尤其包含至少一个pn结和/或至少一个量子阱结构。由有源层在运行时产生的辐射尤其位于400nm和800nm之间的光谱范围中，其中包括边界值。

根据至少一个实施方式，半导体芯片具有辐射出射侧。辐射出射侧优选为半导体芯片的例如垂直于半导体层序列的生长方向取向的主侧。特别地，半导体芯片具有刚好一个辐射出射侧。在半导体芯片的侧面上优选不发射或仅发射少量的辐射。

根据半导体构件的至少一个实施方式，所述半导体构件包括成形体。成形体例如借助于压制、浇注或喷射来产生。在辐射出射侧的俯视图中观察，成形体环形地包围至少一个半导体芯片。优选地，成形体部分地或完全地覆盖半导体芯片的侧面。侧面为半导体芯片的垂直于辐射出射侧或基本上垂直于此取向的限界面。

根据至少一个实施方式，成形体形状配合地且直接地一体成形到半导体芯片上。换而言之，成形体因此与半导体芯片的侧面、优选仅与该侧面直接物理接触。

根据至少一个实施方式，半导体构件可表面安装。因此，半导体构件为所谓的SMT构件。半导体构件的电接触面因此位于一个共同的平面内。

根据半导体构件的至少一个实施方式，在辐射出射侧的俯视图中观察，成形体和半导体芯片不交叠。因此在俯视图中观察，成形体和半导体芯片不相互遮盖。