[发明专利]含有铬氧化物的强磁性材料溅射靶

说明书

技术领域

本发明涉及磁记录介质的磁性体薄膜、特别是采用垂直磁记录方式的硬盘的磁记录层的成膜中使用的强磁性材料溅射靶，并且涉及能够抑制溅射时的粉粒产生的溅射靶。

背景技术

在以硬盘驱动器为代表的磁记录领域，作为磁记录介质中的磁性薄膜的材料，使用以作为强磁性金属的Co、Fe或Ni为基质的材料。近年来，在采用实用化的垂直磁记录方式的硬盘的记录层中，使用包含以Co为主要成分的Co-Cr基或Co-Cr-Pt基强磁性合金与非磁性无机物的复合材料。

从生产率高的观点考虑，硬盘等磁记录介质的磁性薄膜多数情况下是用以上述材料作为成分的强磁性材料溅射靶进行溅射来制作。用作外部记录装置的硬盘驱动器逐年要求增加记录密度，随着记录密度提高，强烈要求减少溅射时所产生的粉粒。

例如，在专利文献1、2、3中记载了包含钴基金属的磁性相和金属氧化物的非磁性相的溅射靶，其通过使氧化物相的颗粒微细化，由此减少溅射时的粉粒和电弧放电的产生。

但是，铬氧化物难以烧结，因此若使铬氧化物充分烧结，则有时铬氧化物以外的成分发生晶粒生长，如果用由于该晶粒生长而形成有粗大组织的靶进行溅射，则存在粉粒产生增加的问题。另一方面，如果为了抑制这样的晶粒生长而抑制烧结，则靶的密度降低，同样存在粉粒产生增加的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-215617号公报

专利文献2：国际公开第2007/080781号公报

专利文献3：日本专利第4837801号公报

发明内容

发明所要解决的问题

通常，通过磁控溅射装置用强磁性材料溅射靶进行溅射时，存在如下问题：溅射时产生由氧化物相引起的粉粒和电弧放电。

为了解决该问题，考虑通过使氧化物相颗粒微细化，由此使该颗粒均匀分散在溅射靶材内。但是，由于铬氧化物是难以烧结的材料，因此难以在保持高密度的状态下，使包含铬氧化物相的氧化物相的颗粒均匀地微细化。

鉴于上述问题，本发明的课题是提供保持高密度、并且使氧化物相颗粒均匀地微细化、粉粒产生少的含有铬氧化物的强磁性材料溅射靶。

用于解决问题的手段

为了解决上述课题，本发明人进行了深入研究，结果发现：通过含有Y、Mg、Al，它们抑制氧化物相的晶粒生长，从而能够得到使氧化物相颗粒均匀地微细化的高密度的强磁性材料溅射靶。

基于上述发现，本发明提供：

1)一种强磁性材料溅射靶，其含有基体相和氧化物相，所述基体相包含钴；或钴、铬；或钴、铂；或钴、铬、铂构成，所述氧化物相至少包含合计为5摩尔％以上且25摩尔％以下的铬氧化物和Si、Ti中任意一种以上的金属氧化物，其特征在于，含有合计为10重量ppm以上且3000重量ppm以下的Y、Mg、Al中的任意一种以上元素，相对密度为97％以上；

2)如上述1)所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，以Cr₂O₃换算含有0.5摩尔％以上且10摩尔％以下的铬氧化物；

3)如上述1)或2)所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，氧化物相的平均颗粒尺寸为3μm²/颗粒以下。

发明效果

如此，通过含有规定量的钇(Y)、Mg(镁)、Al(铝)，能够得到高密度的强磁性材料溅射靶。并且，如此调节后的溅射靶具有在溅射时能够减少电弧放电和粉粒产生这样优良的效果。

具体实施方式

构成本发明的强磁性材料溅射靶的主要成分是钴(Co)、钴(Co)和铬(Cr)、钴(Co)和铂(Pt)、或者钴(Co)、铬(Cr)和铂(Pt)的金属。

它们是作为磁记录介质必要的成分，配合比例只要在能够保持有效的作为磁记录介质的特性的范围内就没有特别限制。通常使用按照Co：50摩尔％以上；或Cr：1～50摩尔％、余量为Co；或Pt：5～30摩尔％、余量为Co；或Cr：1～50摩尔％、Pt：5～30摩尔％、余量为Co的比例配合而成的材料。

另外，除了上述金属以外，还可以以钌(Ru)、硼(B)作为成分。