[发明专利]压印装置和压印方法以及物品制造方法有效
申请号: | 201380010484.1 | 申请日: | 2013-02-26 |
公开(公告)号: | CN104137224A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 中川一樹;江本圭司 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B29C59/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 杨小明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 压印 装置 方法 以及 物品 制造 | ||
技术领域
本发明涉及压印装置、压印方法和使用它们的物品制造方法。
背景技术
随着对半导体器件或MEMS的微制造的需求的增加,不仅常规的光刻技术,而且通过模子使基板上的未固化树脂成形以由此在基板上形成树脂图案的微制造技术也受到关注。该技术也被称为“压印技术”,通过该技术,可在基板上形成具有几纳米的尺寸的微细结构。压印技术的一个例子包括光固化方法。使用光固化方法的压印装置首先向基板(晶片)上的压射(压印区域)施加紫外线可固化树脂(压印材料,光可固化树脂)。然后,树脂(未固化树脂)通过模子成形。在紫外线可固化树脂被紫外光照射以固化之后,从模子释放固化的树脂,由此在基板上形成树脂图案。
通过这种类型的压印装置,当在模子按压基板上的树脂的过程中树脂填充通过模子形成的微细轮廓图案时,有时由于出现残留气泡堵塞的未填充部分而不正确地形成树脂图案。常规上,提出了用特殊气体填充加压过程中的模子与基板之间的间隙空间以禁止残留气泡的压印装置。专利文献1公开了包括将高度可溶或可扩散气体传输到基板上粘性液体(树脂)附近的位置的步骤的压印光刻方法。
引文列表
专利文献
[专利文献1]日本专利公开No.2011-514658
在这种情况下,为了获得专利文献1所示的用特殊气体填充模子与基板之间的间隙空间以禁止残留气泡的效果,必须使间隙空间内的气体浓度保持在相当高的值。为了在特别短的时间内升高该间隙空间气体浓度,存在这样一种常规的方法,即,通过在基板相对于模子移动(扫描)时同时供给气体,将气体引入间隙空间中。此时,向基板供给气体的供给出口位于基板表面的上方或者基板台架(基板保持单元)中的基板的周缘附近的表面的上方。出于有效地引入气体的目的,优选对齐基板表面的高度与周缘附近的表面的高度。因此,一般在基板台架上的周缘附近的表面上安装辅助板以使其与基板表面的高度对齐。但是,为了避免增大基板台架,安装的辅助板的表面积优选尽可能地小,但是,根据基板上的压射的位置,在气体的供给过程中会出现辅助板没位于供给出口下面的情况。当出现在供给出口下面既不存在基板表面也不存在辅助板表面的这种状态时,难以有效地将气体引入间隙空间中。
发明内容
本发明提供有利于在禁止在模子的轮廓图案中出现未填充部分的同时增加效率并且还防止增大安装基板的基板台架的压印装置。
本发明是通过模子使基板上的未固化树脂成形和固化并在基板上形成固化树脂图案的压印装置,该压印装置包括:向基板上的压射区域施加未固化树脂的施加单元;保持和移动基板且包含设置在基板的周边使得表面高度与基板的表面高度对齐的辅助板的基板保持单元;包含多个供给出口的气体供给单元,当模子按压向压射区域施加的未固化树脂时,伴随从施加单元的施加位置到进行按压的按压位置的通过基板保持单元的驱动的压射区域的移动,所述多个供给出口向模子与基板之间的间隙空间供给气体;以及控制器,所述控制器选择用于供给气体的供给出口,使得在施加了未固化树脂的压射区域向按压位置移动的同时多个供给出口之中的供给气体的供给出口与基板或辅助板对置,并且所述控制器控制压射区域的移动方向。
根据本发明,例如,能够提供有利于在禁止在模子的轮廓图案中出现未填充部分的同时增加效率并且还防止安装基板的基板台架增大的压印装置。
从(参照附图)对示例性实施例的以下描述,本发明的其它特征将变得清楚。
附图说明
图1是示出根据本发明的第一实施例的压印装置的构成的示图。
图2A~2C是示出在第一实施例中满足D1>D2的条件的情况下的动作的示图。
图3A~3C是示出在现有技术中满足D1≤D2的条件的情况下的动作的示图。
图4A~4D是示出在第一实施例中满足D1≤D2的条件的情况下的动作的示图。
图5是示出根据第一实施例的一系列的气体供给步骤的流程图。
图6A~6F是示出在第二实施例中满足D1>D2的条件的情况下的动作的示图。
图7A~7G是示出在第二实施例中满足D1≤D2的条件的情况下的动作的示图。
图8A~8H是示出在第二实施例中各条件组合存在的情况下的动作的示图。
图9是示出根据第二实施例的一系列的气体供给步骤的流程图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社,未经佳能株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380010484.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置
- 下一篇:荷电粒子束装置、试样观察系统以及操作程序
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造