[发明专利]非接触吸盘有效
申请号: | 201380010718.2 | 申请日: | 2013-02-28 |
公开(公告)号: | CN104137247A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 藤平清隆 | 申请(专利权)人: | 炭研轴封精工有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 接触 吸盘 | ||
技术领域
本发明涉及一种非接触吸盘,详细而言,涉及一种在吸附面上同时进行由加压空气所实现的工件的悬浮和由吸引所实现的工件的吸附的非接触吸盘。
背景技术
作为处理半导体晶圆、FPD用玻璃基材等厚度极薄的工件的装置,已知有所谓的真空镊子。然而,由于真空镊子是在与工件相接触的状态下处理工件的,因此存在有对工件赋予应力等问题。
另外,作为在不对FPD用玻璃基材等厚度极薄的工件赋予应力等的前提下以非接触的方式进行处理的装置,提出有从多孔板的细孔喷出加压空气而使工件悬浮、从而在多孔板上进行输送的装置(例如,专利文献1、2)。
专利文献1:日本特开2008-110852号公报
专利文献2:日本特开2011-084352号公报
发明内容
发明要解决的问题
专利文献1和2的装置从多孔材料的板状体(平台)喷出空气而使工件悬浮于板状体上,另一方面,从板状体的一部分吸引空气,从而一边维持厚度极薄的工件的平面性,一边以非接触状态在工作台上输送该厚度极薄的工件。
在上述半导体晶圆、FPD用玻璃基材等厚度极薄的工件的处理工序中,除了在输送路径上输送工件以外,还需要进行将工件保持在工作台上的规定位置、在某个位置拾取工件并将其向其他位置移动等动作。
然而,专利文献1和2的装置无法应对这样的要求。
另一方面,作为能够以非接触的方式向下地吸附保持较薄的工件的装置,提出有利用所谓的“伯努利原理”的伯努利卡盘。该伯努利卡盘为如下装置:其通过使来自空气压缩机的加压空气一边在形成于卡盘的下表面的凹部内回旋一边沿下表面吹出,从而在凹部的正下方的区域内产生吸附力并在其周围产生浮力,从而以非接触的方式将半导体晶圆等较薄的工件吸附保持在卡盘的下侧面。
然而,由于该伯努利卡盘能够形成的凹部的数量有限,因此局部产生吸引力/浮力,从而无法在无翘曲、无应变等的平坦的状态下吸附保持尺寸相对较大且较薄的工件。
本发明就是为了解决这样的问题点而做成的,其目的在于提供一种能够将厚度较薄的工件保持吸附在规定位置、或向下地保持吸附该厚度较薄的工件的非接触吸盘。
用于解决问题的方案
采用本发明,提供一种非接触吸盘,该非接触吸盘以非接触状态吸附薄板状的被吸附物,
其特征在于,
该非接触吸盘具备:
板状的多孔盘,其在吸附固定区域形成有沿厚度方向贯通并延伸的多个通气孔;
第1密闭空间,其以与上述多孔盘的背面相邻接的方式配置;
第2密闭空间,其与上述第1密闭空间相隔离;以及
连通部件,其使上述第2密闭空间和上述通气孔连通。
采用这样的结构,例如,通过使第1密闭空间与加压空气源相连通,使第2密闭空间与吸引减压源相连通,从而能够一边从多孔盘的表面的细孔喷出加压空气,一边从多孔盘的表面的通气孔吸引空气。其结果,在多孔盘的表面上,能够一边利用吸引将工件保持在规定位置,一边利用加压空气使工件悬浮。其结果,能够以非接触的方式将半导体晶圆等厚度较薄的工件保持吸附在朝向上方的多孔盘的表面上的规定位置、或在朝向下方的多孔盘的表面的下侧以非接触的方式向下地保持吸附半导体晶圆等厚度较薄的工件。
由于能够独立地调整吸引压力(减压)和供气压力(加压),因此能够控制保持力和悬浮力。因此,也能够调整悬浮间隙。
采用本发明的其他优选的技术方案,
该非接触吸盘具备:
板状的支架,其表面层叠于上述多孔盘的背面侧,且具有凹部,在该凹部与该多孔盘的背面之间构成上述第1密闭空间;以及
基部,其层叠于上述支架的背面侧,且在该基部与该支架的背面之间形成第2密闭空间,
上述支架具有作为上述连通部件发挥功能的连通孔,该连通孔的一端在上述层叠时连接于上述多孔盘的通气孔,另一端在该支架的背面上开口。
采用本发明的其他优选的技术方案,
上述支架具备多个岛状的突出部,该岛状的突出部具备在上述多个通气孔的背面侧开口端的位置处抵接于上述多孔盘的背面的平坦的顶部,
上述连通孔贯通上述突出部并延伸,
上述突出部之间的空间被作为上述第1密闭空间。
采用本发明的其他优选的技术方案,
上述基部在表面具备多个岛状的突出部,该岛状的突出部具备在上述连结时抵接于上述支架的背面的平坦的顶部,
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于炭研轴封精工有限公司,未经炭研轴封精工有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380010718.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置及其制造方法
- 下一篇:半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造