[发明专利]含有铬氧化物的强磁性材料溅射靶

说明书

技术领域

本发明涉及用于磁记录介质的磁性体薄膜、特别是采用垂直磁记录方式的硬盘的磁记录层的成膜的强磁性材料溅射靶，并涉及可以抑制溅射时粉粒产生的溅射靶。

背景技术

在以硬盘驱动器为代表的磁记录领域，作为磁记录介质中的磁性薄膜的材料，使用以作为强磁性金属的Co、Fe或Ni为基质的材料。例如，在采用近年来已实用化的垂直磁记录方式的硬盘的记录层中使用含有以Co为主要成分的Co-Cr基或Co-Cr-Pt基强磁性合金和非磁性无机物的复合材料。

硬盘等磁记录介质的磁性薄膜，从生产率高的观点考虑，大多使用以上述材料为成分的磁性材料溅射靶进行溅射来制作。用作外部记录装置的硬盘驱动器要求记录密度逐年增加，随着记录密度上升，强烈要求减少溅射时产生的粉粒。

例如，专利文献1、2、3中记载了含有钴基金属的磁性相和金属氧化物的非磁性相的溅射靶，并且通过使氧化物相的颗粒微细化，减少溅射时的粉粒和电弧放电的产生。然而，铬氧化物难以烧结，因此使铬氧化物充分烧结时，铬氧化物以外的成分有时会发生晶粒生长，使用由于该晶粒生长而形成粗大组织的靶进行溅射时，存在粉粒产生增加这样的问题。另一方面，如果为了抑制这种晶粒生长而抑制烧结，则靶的密度下降，同样存在粉粒产生增加这样的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-215617号公报

专利文献2：国际公开第2007/080781号公报

专利文献3：日本专利第4837801号公报

发明内容

发明所要解决的问题

通常，若想要利用磁控溅射装置对强磁性材料溅射靶进行溅射，则存在溅射时产生起因于氧化物相的粉粒和电弧放电这样的问题。

为了解决该问题，考虑通过使氧化物相的颗粒微细化，将该颗粒均匀分散在溅射靶内。然而，铬氧化物是难以烧结的材料，因此难以在保持高密度的情况下使含有铬氧化物相的氧化物相的颗粒均匀地微细化。

鉴于上述问题，本发明的课题在于提供在保持高密度的同时使氧化物相的颗粒均匀地微细化且粉粒产生少的含有铬氧化物的强磁性材料溅射靶。

用于解决问题的手段

为了解决上述课题，本发明人进行了深入研究，结果发现，通过含有Zr、W，它们发挥烧结助剂那样的作用，从而可以得到使氧化物相的颗粒均匀微细化的高密度强磁性材料溅射靶。

基于这样的发现，本发明提供：

1)一种强磁性材料溅射靶，其含有包含钴；或者钴、铬；或者钴、铂；或者钴、铬、铂的基体相和至少包含铬氧化物的氧化物相，其特征在于，含有合计为100重量ppm以上且15000重量ppm以下的Zr、W中的任意一种以上元素，相对密度为97％以上。

2)如上述1)所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，以Cr₂O₃换算含有0.5摩尔％以上且10摩尔％以下的铬氧化物。

3)如上述1)或2)所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，氧化物相含有合计为5摩尔％以上且25摩尔％以下的铬氧化物和Ti、Ta中的任意一种以上的金属氧化物。

4)如上述1)～3)中任一项中所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，含有合计为100重量ppm以上且3000重量ppm以下的Zr、W中的任意一种以上元素。

5)如上述1)～4)中任一项中所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，氧化物相的平均颗粒尺寸为3μm²/颗粒以下。

发明效果

如此，通过含有规定量的锆(Zr)、钨(W)，可以得到高密度的强磁性材料溅射靶。另外，如此调节后的溅射靶具有在溅射时可以减少电弧放电和粉粒的产生这样的优良效果。

具体实施方式

构成本发明的强磁性材料溅射靶的主要成分为钴(Co)；钴(Co)和铬(Cr)；钴(Co)和铂(Pt)；或者钴(Co)、铬(Cr)和铂(Pt)的金属。它们是作为磁记录介质所必需的成分，只要配合比例在可以保持有效的作为磁记录介质的特性的范围内，则没有特别限制。通常来说，按照Co：50摩尔％以上；或者Cr：1～50摩尔％、余量为Co；或者Pt：5～30摩尔％、余量为Co；或者Cr：1～50摩尔％、Pt：5～30摩尔％、余量为Co的比例进行配合后使用。

另外，除了上述金属以外，还可以将钌(Ru)、硼(B)作为成分。