[发明专利]银离子扩散抑制层形成用组成物、银离子扩散抑制层用膜及其应用

权利要求书

1.一种银离子扩散抑制层形成用组成物，其含有：

绝缘树脂；以及

化合物，其具有：

选自由三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构；

巯基；以及

一个以上的可含有杂原子的烃基，

且所述烃基中的碳原子的合计数(而且，在具有多个所述烃基的情形时，为各烃基中的碳原子数的合计数)为5以上。

2.根据权利要求1所述的银离子扩散抑制层形成用组成物，其中所述化合物为式(1)～式(3)的任一个所表示的化合物，

(式(1)中，R₁及R₂分别独立地表示氢原子或可含有杂原子的烃基，R₁及R₂的至少一个表示所述烃基，R₁及R₂的各基团中所含的碳原子数的合计数为5以上；

式(2)中，R₃表示可含有杂原子的烃基，R₃中所含的碳原子数为5以上；

式(3)中，R₄～R₇分别独立地表示氢原子、卤素原子或可含有杂原子的烃基，R₄～R₇的至少一个表示所述烃基，R₄～R₇的各基团中所含的碳原子数的合计数为5以上)。

3.根据权利要求1或2所述的银离子扩散抑制层形成用组成物，其中所述烃基为含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的银离子扩散抑制层形成用组成物，其中所述烃基为含有选自由下述式(B-1)～式(B-7)所组成的组群中的至少一种基团的烃基(而且，亦可为下述式(B-1)～式(B-7)中的多个*的一个直接键结于选自由所述三唑结构、所述噻二唑结构及所述苯并咪唑结构所组成的组群中的结构的烃基)，

(式(B-1)～式(B-7)中，X_a为选自由氧原子、硫原子、硒原子及碲原子所组成的组群中的原子；多个X_a可相同亦可不同；X_b为氧原子或硫原子；多个X_b可相同亦可不同；*表示键结位置)。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的银离子扩散抑制层形成用组成物，其中所述烃基为-S-R_q所表示的基团(R_q表示可具有-COO-或-CON＜的碳数1～30的烃基)。

6.一种银离子扩散抑制层用膜，其含有：

绝缘树脂；以及

化合物，其具有：

选自由三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构；

巯基；以及

一个以上的可含有杂原子的烃基，

且所述烃基中的碳原子的合计数(而且，在具有多个所述烃基的情形时，为各烃基中的碳原子数的合计数)为5以上。

7.根据权利要求6所述的银离子扩散抑制层用膜，其中所述化合物为式(1)～式(3)的任一个所表示的化合物，

(式(1)中，R₁及R₂分别独立地表示氢原子或可含有杂原子的烃基，R₁及R₂的至少一个表示所述烃基，R₁及R₂的各基团中所含的碳原子数的合计数为5以上；

式(2)中，R₃表示可含有杂原子的烃基，R₃中所含的碳原子数为5以上；

式(3)中，R₄～R₇分别独立地表示氢原子、卤素原子或可含有杂原子的烃基，R₄～R₇的至少一个表示所述烃基，R₄～R₇的各基团中所含的碳原子数的合计数为5以上)。

8.根据权利要求6或7所述的银离子扩散抑制层用膜，其中所述烃基为含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基。