[发明专利]银离子扩散抑制层形成用组成物、银离子扩散抑制层用膜及其应用

说明书

技术领域

本发明涉及一种银离子扩散抑制层形成用组成物、银离子扩散抑制层用膜、配线基板、电子装置、导电膜层压体及触摸屏。

背景技术

从前以来，在绝缘基板表面上配置有金属配线的配线基板被广泛用于电子构件、半导体组件中。作为构成金属配线的金属，常使用导电性高的银、铜，但该些金属有容易产生离子迁移(ionic migration)的问题，特别是银明显地表现出该问题。

作为防止此种金属的离子迁移的方法，已提出有一种在聚合物层中导入金属离子吸附化合物的方法(专利文献1)。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2008-192850号公报

发明内容

一方面，近年来，由于半导体集成电路或芯片零件等的小型化，正在推进金属配线的微细化。因此，配线基板中的金属配线的间隔变得更狭小，更容易产生由离子迁移所致的电路的短路。在此种状况下，要求配线基板中的含有银或银合金的金属配线间的绝缘可靠性进一步提高。

本发明者将专利文献1中揭示的导入有含硫醇化合物等与金属离子形成有机金属盐的化合物的聚合物层设置于含有银或银合金的金属配线上，并对其绝缘可靠性进行了研究。结果在金属配线间确认到配线间电阻明显减小，其离子迁移抑制效果不满足如今所要求的水平，需要进一步改良。

鉴于上述实际情况，本发明的目的在于提供一种可形成银离子扩散抑制层的银离子扩散抑制层形成用组成物，所述银离子扩散抑制层可抑制含有银或银合金的金属配线间的银的离子迁移，且提高金属配线间的绝缘可靠性。

另外，本发明的目的在于提供一种银离子扩散抑制层用的膜及具备该银离子扩散抑制层的配线基板，所述银离子扩散抑制层可抑制含有银或银合金的金属配线间的由银的离子迁移所致的短路，而且金属配线间的绝缘可靠性更优异。

进而，本发明的目的亦在于提供一种导电膜层压体，其可抑制含有银或银合金的导电膜间的银的离子迁移，提高导电膜间的绝缘可靠性。

本发明者等人对现有技术的问题进行了专心研究，结果发现，专利文献1中揭示的含硫醇化合物等金属离子吸附化合物在聚合物层中的分散性受到影响。更具体而言，专利文献1中揭示的含硫醇化合物等金属离子吸附化合物由于其结构而分散性低。因此，即便欲将该金属离子吸附化合物导入至聚合物层(树脂层)中，亦难以使该化合物在聚合物层中均匀地分散，无法获得抑制金属离子(特别是银离子)的迁移的效果。另外，若欲将大量的该金属离子吸附化合物导入至聚合物层中，则该化合物在聚合物层中析出，引起聚合物的劣化，引起电气可靠性的劣化。进而，可能产生促进金属离子的扩散、引起配线破坏等问题。

根据上述见解，本发明者等人发现，藉由使用含有具有特定官能基的化合物的组成物来形成银离子扩散抑制层，可解决上述课题。

即，本发明者等人发现，藉由以下构成可解决上述课题。

(1)一种银离子扩散抑制层形成用组成物，其含有：

绝缘树脂；以及

化合物，其具有：

选自由三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构；

巯基(mercapto group)；以及

一个以上的可含有杂原子的烃基，

且所述烃基中的碳原子的合计数(而且，在具有多个所述烃基的情形时，为各烃基中的碳原子数的合计数)为5以上。

(2)如上述(1)所记载的银离子扩散抑制层形成用组成物，其中所述化合物为后述式(1)～式(3)的任一个所表示的化合物。

(3)如上述(1)或(2)所记载的银离子扩散抑制层形成用组成物，其中所述烃基为含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基。

(4)如上述(1)或(2)所记载的银离子扩散抑制层形成用组成物，其中所述烃基为含有选自由后述式(B-1)～式(B-7)所组成的组群中的至少一种基团的烃基(而且，亦可为后述式(B-1)～式(B-7)中的多个*的一个直接键结于选自由所述三唑结构、所述噻二唑结构及所述苯并咪唑结构所组成的组群中的结构的烃基)。

(5)如上述(1)或(2)所记载的银离子扩散抑制层形成用组成物，其中所述烃基为-S-R_q所表示的基团(R_q表示可具有-COO-或-CON＜的碳数1～30的烃基)。

(6)一种银离子扩散抑制层用膜，其含有：

绝缘树脂；以及

化合物，其具有：

选自由三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构；