[发明专利]Fe-Co系合金溅射靶材及其制造方法有效
申请号: | 201380011999.3 | 申请日: | 2013-05-30 |
公开(公告)号: | CN104145043A | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | 福冈淳;齐藤和也;坂卷功一;畠知之 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;B22F3/14;C22C19/07;C22C38/00;G11B5/667;G11B5/851;B22F9/04;B22F9/08 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | fe co 合金 溅射 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及用于形成磁性记录介质中的软磁性膜的Fe-Co系合金溅射靶材及其制造方法。
背景技术
近年来,作为提高磁性记录介质的记录密度的手段,垂直磁性记录方式被实用化。垂直磁性记录方式是适于高记录密度的方法,以呈现易磁化轴朝向垂直于介质面的方向的状态形成磁性记录介质的磁性膜,提高了记录密度,而存储单元内的反磁场小、记录再现特性的降低少。于是,关于垂直磁性记录方式,正在开发具有记录灵敏度提高了的磁性记录膜及软磁性膜的磁性记录介质。
作为这样的磁性记录介质的软磁性膜,要求具有优异的软磁特性、具有非晶结构。作为软磁性膜的例子,利用的是在以饱和磁通密度大的Fe作为主要成分的Fe-Co合金中添加了促进非晶质形成的元素的合金膜。
另外,还要求这些合金膜有耐蚀性。关于合金膜的形成,提出了例如Fe-Co合金中含有10~20原子%的选自Nb或Ta中的1种或2种元素的软磁性膜用Fe-Co系合金溅射靶材(例如参照专利文献1)。具体而言,Fe-Co系合金溅射靶材的制造如下:将各金属的纯度为99.9%以上的纯金属粉末原料混合以形成溅射靶材的组成,烧结所得到的混合粉末。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际申请第2009/104509号小册子
发明内容
发明要解决的问题
关于上述的专利文献1中公开的Fe-Co系合金溅射靶材,通过添加Ta或Nb的单一元素,从而可以形成具有优异的软磁特性的非晶结构,进而可以形成具有高耐蚀性的软磁性膜。因此,使用Fe-Co系合金溅射靶材的方法在容易进行成分控制方面是有用的技术。
然而,根据本发明人的研究,以高输入功率溅射由专利文献1中公开的制造方法制作的Fe-Co-Ta系合金溅射靶材时,确认了存在溅射靶材产生裂纹的情况。
本发明是鉴于上述情况而成的。上述情况之下,需要如下的Fe-Co系合金溅射靶材及其制造方法,即便以高输入功率进行溅射,也可以抑制溅射靶材产生裂纹,得到具有非晶结构、优异的软磁特性、高耐蚀性等的软磁性膜。
用于解决问题的方案
本发明人发现通过优化溅射靶材的组成并在此基础上使高温下的断裂弯曲应变为一定值以上,从而可以解决上述的问题,达成本发明。
用于实现上述课题的具体的手段如下所述。即:
第一项发明是一种Fe-Co系合金溅射靶材,其中,原子比的组成式表示为(Fea-Co100-a)100-b-c-d-Tab-Nbc-Md(0<a≤80、0≤b≤10、0≤c≤15、5≤b+c≤15、2≤d≤20、15≤b+c+d≤25,M表示选自由Mo、Cr和W组成的组中的一种以上的元素),包含由不可避免的杂质组成的余量,并且300℃下的断裂弯曲应变εfB为0.4%以上。
第一项发明中,优选前述组成式的b满足b=0。
另外,第一项发明中,含有选自Ta和Nb中的一种以上的金属间化合物相的、0.01mm2~0.10mm2的视场中的面积分数优选为30面积%以下。在含有选自Ta和Nb中的一种以上的金属间化合物相的区域内描绘内切圆时的、最大内切圆的直径优选为30μm以下的范围。
第二项发明是一种Fe-Co系合金溅射靶材的制造方法,其中,对于原子比的组成式表示为(Fea-Co100-a)100-b-c-d-Tab-Nbc-Md(0<a≤80、0≤b≤10、0≤c≤15、5≤b+c≤15、2≤d≤20、15≤b+c+d≤25,M表示选自由Mo、Cr和W组成的组中的一种以上的元素)、余量由不可避免的杂质组成的粉末组合物,以烧结温度800~1400℃、加压压力100~200MPa以及烧结时间1~10小时的条件进行加压烧结。
也就是说,第一项发明的Fe-Co系合金溅射靶材可以通过对前述组成式所示的粉末组合物以烧结温度800~1400℃、加压压力100~200MPa且烧结时间1~10小时的条件进行加压烧结而得到。
第二项发明中,优选前述组成式的b满足b=0。
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