[发明专利]接合方法、接合结构体及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及将一方的接合对象物(第1接合对象物)和另一方的接合对象物(第2接合对象物)接合的接合方法和使用该接合方法形成的接合结构体，更详细地，涉及例如在将作为第1接合对象物的芯片型电子部件的外部电极接合到作为第2接合对象物的基板上的安装用电极时等情况中所使用的接合方法、使用该接合方法形成的接合结构体及其制造方法。

背景技术

作为将表面安装型电子部件安装在基板等上时的安装方法，将电子部件的外部电极焊接到基板上的安装用电极(陆地电极)等上进行安装的方法被广泛使用。

作为在这种通过焊接进行安装的方法中所使用的焊膏，例如，有人提出含有(a)由Cu、Al、Au、Ag等高熔点金属或含有这些金属的高熔点合金构成的第2金属(或合金)球与(b)由Sn或In构成的第1金属球的混合体的焊膏(可参见专利文献1)。

此外，在该专利文献1中还公开了使用该焊膏的接合方法和电子设备的制造方法。

然而，在使用该专利文献1的焊膏进行焊接时，如图6(a)示意所示，含有低熔点金属(例如Sn)球51、高熔点金属(例如Cu)球52和助焊剂53的焊膏加热后反应，焊接后，如图6(b)所示，多个高熔点金属球52介由来自低熔点金属球的低熔点金属和来自高熔点金属球的高熔点金属之间形成的金属间化合物54而连结，通过该连结体，接合对象物连接-连结(焊接)在一起。

然而，在为该专利文献1的焊膏的情况下，在焊接工序中对焊膏进行加热，以生成高熔点金属(例如Cu)和低熔点金属(例如Sn)的金属间化合物，但在Cu(高熔点金属)与Sn(低熔点金属)的组合中，作为低熔点金属的Sn因其扩散速度慢而残留。而且，若焊膏中有Sn残留，则高温下的接合强度会大幅降低，根据要接合的产品的种类，有时会无法使用。此外，会有焊接工序中残留的Sn在之后的其他焊接工序中熔融而流出之虞，作为在温阶连接中使用的高温焊料，存在可靠性低的问题。

即，例如在半导体装置的制造工序中，经过进行焊接的工序制造半导体装置后，想要用回流焊的方法将该半导体装置安装到基板上时，会有半导体装置的制造工序的焊接工序中残留的Sn在回流焊工序中熔融而流出之虞。

此外，要使低熔点金属完全成为金属间化合物，使Sn不残留，在焊接工序中，需要高温且长时间的加热，但由于要兼顾生产效率，因而实际上不可行。

为了解决这种问题，有人提出含有由第1金属粉末和熔点高于第1金属粉末的第2金属粉末构成的金属成分及助焊剂成分的焊膏，使第1金属为Sn或含Sn合金，使第2金属(Cu-Mn或Cu-Ni)为会与上述第1金属生成显示310℃以上的熔点的金属间化合物且在第2金属粉末的周围最初生成的金属间化合物的晶格常数与第2金属成分的晶格常数之差即晶格常数差在50％以上的金属或合金(可参见专利文献2)。

另外，在该专利文献2中，作为第2金属，举例示出了Cu-Mn或Cu-Ni等。

此外，专利文献2中，还提出了使用上述焊膏的接合方法、接合结构以及电子设备的制造方法。

而且，根据使用该焊膏的接合方法，能够进行可大幅减少Sn残留量、在回流焊时不发生焊料流出、高温下的接合强度、接合可靠性优异的接合。

然而，在使用专利文献2的焊膏的接合方法中，Cu-Mn、Cu-Ni等第2金属与Sn或Sn合金等第1金属的扩散反应快速发生，因而，Sn呈现液状的时间短，迅速形成熔融温度高的金属间化合物，因此，视情况，可能会在接合部内产生空隙。因此，期待有一种能够进行接合可靠性更高的接合的接合方法。

专利文献：

专利文献1：日本特开2002-254194号公报

专利文献2：PCT专利申请公开说明书第2011/027659号

发明内容

本发明是为了解决上述问题而作出的，旨在提供能够得到没有空隙、致密、耐热性优异、可靠性高的接合部的接合方法，使用该接合方法形成的接合可靠性高的接合结构体，以及制造该接合结构体的制造方法。

为了解决上述问题，本发明的接合方法是用于将第1接合对象物和第2接合对象物用嵌入材料接合的方法，在该方法中，

所述第1接合对象物和/或所述第2接合对象物具有由熔点低于构成下述嵌入材料的合金的Sn或含Sn合金构成的第1金属，

所述嵌入材料以第2金属为主要成分，所述第2金属为含有选自Ni、Mn、Al及Cr中的至少一种和Cu的合金，