[发明专利]ESD保护半导体器件

权利要求书

1.一种ESD保护半导体器件，包括：

半导体衬底(1)，具有表面(10)；

第一导电类型的源区(2)和漏区(3)，所述源区(2)和所述漏区(3)布置在所述衬底(1)中，位于或邻近于所述表面(10)，并且彼此间隔开距离；

第二导电类型的沟道区(4)，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述沟道区(4)布置在所述源区(2)和所述漏区(3)之间，以及

栅电极(6)，布置在所述沟道区(4)上方，

其特征在于：

所述第一导电类型的衬底阱(7)布置在所述衬底(1)中，并与所述源区(2)间隔开距离，

所述衬底阱(7)与所述漏区(3)邻接，以及

所述源区(2)与所述衬底阱(7)之间的距离大于所述源区(2)与所述漏区(3)之间的距离，

所述ESD保护半导体器件还包括：

所述第二导电类型的本体阱(12)，

所述沟道区(4)位于所述本体阱(12)中，以及

所述衬底阱(7)从所述衬底(1)的表面(10)向下延伸最大距离(d1)，所述最大距离(d1)大于所述本体阱(12)从所述表面(10)所延伸的最大距离(d2)。

2.一种ESD保护半导体器件，包括：

半导体衬底(1)，具有表面(10)；

第一导电类型的源区(2)和漏区(3)，所述源区(2)和所述漏区(3)布置在所述衬底(1)中，位于或邻近于所述表面(10)，并且彼此间隔开距离；

第二导电类型的沟道区(4)，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述沟道区(4)布置在所述源区(2)和所述漏区(3)之间，以及

栅电极(6)，布置在所述沟道区(4)上方，

其特征在于：

所述第一导电类型的衬底阱(7)布置在所述衬底(1)中，并与所述源区(2)间隔开距离，

所述衬底阱(7)与所述漏区(3)邻接，以及

所述源区(2)与所述衬底阱(7)之间的距离大于所述源区(2)与所述漏区(3)之间的距离，

所述ESD保护半导体器件还包括：

所述第一导电类型的另外的衬底阱(13)，所述另外的衬底阱(13)布置在所述衬底(1)中并与所述源区(2)间隔开距离，并且所述另外的衬底阱(13)设置在所述衬底阱(7)的下方并与所述衬底阱(7)邻接，

所述源区(2)与所述另外的衬底阱(13)之间的距离大于所述源区(2)与所述衬底阱(7)之间的距离，以及

所述另外的衬底阱(13)的电导率低于所述衬底阱(7)的电导率，并且

所述ESD保护半导体器件还包括：

所述第二导电类型的本体阱(12)，

所述沟道区(4)位于所述本体阱(12)中，以及

所述另外的衬底阱(13)从所述衬底(1)的所述表面(10)向下延伸最大距离(d3)，所述最大距离(d3)大于所述本体阱(12)从所述表面(10)所延伸的最大距离(d2)。

3.根据权利要求1或2所述的ESD保护半导体器件，其中，所述衬底阱(7)布置在所述衬底表面(10)被所述漏区(3)包围的区域下方。

4.根据权利要求1或2所述的ESD保护半导体器件，其中，与所述漏区(3)相比，所述衬底阱(7)具有较低的掺杂浓度。

5.根据权利要求1或2所述的ESD保护半导体器件，其中，

所述源区(2)与所述漏区(3)之间的距离适于高于9V的触发电压以及在7V至11V之间的保持电压。

6.根据权利要求1或2所述的ESD保护半导体器件，其中，

所述源区(2)与所述漏区(3)之间的距离适于高于9.5V的触发电压以及在7.5V至12V之间的保持电压。

7.根据权利要求1或2所述的ESD保护半导体器件，其中，

所述源区(2)与所述漏区(3)之间的距离适于高于12V的触发电压以及保持在以下电压值之间的范围内的保持电压：所述电压值相差不超过所述范围的中间值的25％。

8.根据权利要求1或2所述的ESD保护半导体器件，其中，

所述源区(2)与所述漏区(3)之间的距离适于高于12V的触发电压以及保持在以下电压值之间的范围内的保持电压：所述电压值相差不超过所述范围的中间值的20％。