[发明专利]芯片用树脂膜形成用片材在审
申请号: | 201380012849.4 | 申请日: | 2013-03-05 |
公开(公告)号: | CN104160491A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 吾妻祐一郎;市川功 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;C08J5/18;C08K7/04;C09J11/04 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 吕琳;刘明海 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 树脂 形成 用片材 | ||
1.一种芯片用树脂膜形成用片材,
其具有支承片和形成于该支承片上的树脂膜形成层,
该树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分(A)、固化性成分(B)及无机填料(C),
相对于粘合剂聚合物成分(A)100质量份,固化性成分(B)为1~1500质量份,
该树脂膜形成层中的无机填料(C)的含有比例相对于构成该树脂膜形成层的全部固体成分为30~80质量%,
该树脂膜形成层的热扩散率为2×10
2.根据权利要求1所述的芯片用树脂膜形成用片材,其中,
该树脂膜形成层含有30~60质量%的无机填料(C)。
3.根据权利要求1所述的芯片用树脂膜形成用片材,其中,
无机填料(C)含有纵横比为5以上且平均粒径为20μm以下的各向异性形状粒子(C1)、以及平均粒径大于20μm的干扰粒子(C2)。
4.根据权利要求3所述的芯片用树脂膜形成用片材,其中,
各向异性形状粒子(C1)的长轴方向上的热导率为60~400W/m·K。
5.根据权利要求3所述的芯片用树脂膜形成用片材,其中,
各向异性形状粒子(C1)为氮化物粒子。
6.根据权利要求3~5中任一项所述的芯片用树脂膜形成用片材,其中,
干扰粒子(C2)的平均粒径为树脂膜形成层的厚度的0.6~0.95倍。
7.根据权利要求3所述的芯片用树脂膜形成用片材,其中,
各向异性形状粒子(C1)与干扰粒子(C2)的重量比例为5:1~1:5。
8.根据权利要求1所述的芯片用树脂膜形成用片材,其中,
该树脂膜形成层的厚度为20~60μm。
9.根据权利要求1所述的芯片用树脂膜形成用片材,其中,
树脂膜形成层作为用于将半导体芯片固定在基板或其他半导体芯片上的薄膜状粘接剂发挥作用。
10.根据权利要求1所述的芯片用树脂膜形成用片材,其中,
树脂膜形成层为半导体晶片或芯片的保护膜。
11.一种半导体装置的制造方法,其使用权利要求1~10中任一项所述的芯片用树脂膜形成用片材。
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