[发明专利]磁记录介质的制造方法有效
申请号: | 201380014327.8 | 申请日: | 2013-06-25 |
公开(公告)号: | CN104170014A | 公开(公告)日: | 2014-11-26 |
发明(设计)人: | 佐藤成实;熊谷明恭;片野智纪;谷口克己;小野博美 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | G11B5/84 | 分类号: | G11B5/84 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 介质 制造 方法 | ||
1.一种磁记录介质的制造方法,该磁记录介质在基板上具备磁性层、保护层下层、保护层上层和润滑层,保护层下层与保护层上层的合计膜厚在2.5nm以下,所述磁记录介质的制造方法的特征在于,依次包括以下工序:
1)保护层下层的成膜工序;
2)对保护层下层进行氧等离子体处理的工序;
3)保护层上层的成膜工序;以及
4)对保护层上层进行氮等离子体处理的工序。
2.如权利要求1所述的磁记录介质的制造方法,其特征在于,
所述保护层下层及保护层上层由碳类材料形成。
3.如权利要求2所述的磁记录介质的制造方法,其特征在于,
所述保护层下层及保护层上层由类金刚石碳形成。
4.如权利要求1至3的任一项所述的磁记录介质的制造方法,其特征在于,
所述保护层下层在大气中与水的接触角在25度以下。
5.如权利要求1所述的磁记录介质的制造方法,其特征在于,
进行所述氧等离子体处理的工序中所使用的等离子体为利用稀有气体与氧的混合气体的热丝方式等离子体。
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