[发明专利]磁记录介质的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及计算机等信息处理设备的信息记录装置或者搭载于民用设备的记录装置所使用的磁记录介质的制造方法，特别涉及硬盘装置所使用的磁记录介质的制造方法。

背景技术

硬盘驱动器的记录容量日趋增大，搭载于其上的磁记录介质的记录密度也一直在变大。现有的水平磁记录方式中，热波动成为提高记录密度的较大问题，因此，近年来发起了将可以解决这一问题的新记录方式即垂直磁记录方式的磁记录介质产品化的技术革新。记录密度的上升没有停止，且以每年50％左右的比例持续上升。这不仅仅源于上述记录方式的变换，还在于所有技术领域的持续发展。例如，就HDI(Head Disk Interface：磁头-磁盘接口)技术而言，磁头的上浮量逐年减小，从而要求磁记录介质的磁性层与磁头之间的距离(磁隙)越来越小。作为减小磁隙的方法之一，要求使磁性层上形成的保护层、保护层上的润滑层实现薄膜化。

保护层起到保护磁性层的作用，以金属材料为主要成分的磁性层需要有很高的耐腐蚀性，以防止其与大气中的水分或腐蚀性气体发生反应而腐蚀。而且，还需要相对于磁头的移动具有耐久性。其理由是因为，虽然磁头在磁记录介质上相对高速且仅保持微小的磁隙上浮而移动，但在因某种问题而导致磁头与磁记录介质接触的情况下，也能防止磁性层受损。

润滑层起到使磁头在磁记录介质上顺畅且稳定地移动的作用。润滑层在保护层上形成得极薄，相当于磁记录介质的最表层。

决定保护层性能的要素有保护层的致密性。因此，保护层通常使用致密性较高的碳层，在碳层中通常使用类金刚石碳(DLC)层。DLC层具有使得碳元素彼此以强键合力致密地相键合的sp³键，因此从上述耐腐蚀性和耐久性方面考虑是合适的。

DLC层的形成方法中，以碳化氢类气体作为原料的等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法已广泛普及。等离子体CVD法是向包含有构成膜的原子的化合物气体提供能量，使其变成等离子体状态，从而产生活性离子或基团并发生化学反应，由此来形成薄膜的方法。保护层越薄，覆盖性就越差，因此，作出了通过进一步提高致密性来维持耐腐蚀性和耐久性的尝试。对于碳层，提高sp³键合率十分重要，从而需要选择能产生高密度等离子体的方式。另外，J.Robertson、Diamond and Related Materials,3(1994)p.361-368中，记载了通过使等离子体所产生的碳离子的能量最优化来提高sp³键合率的方案，从而成膜条件最优化也很重要。

等离子体CVD法按照等离子体的产生方法和所能产生的等离子体密度，可分成如下方式。例如，已知CCP(Capacitively Coupled Plasma：电容耦合等离子体)方式下等离子体密度为10¹¹cm^-3左右，热丝方式下等离子体密度为10¹⁰cm^-3～10¹¹cm^-3左右，ECR(Electron Cyclotron Resonance：电子回旋共振)方式或ICP(Inductively Coupled Plasma：电感耦合等离子体)方式下等离子体密度为10¹¹cm^-3～10¹²cm^-3左右，在ICP法的基础上增加直流磁场的MEICP(Magnetically Enhanced Inductively Coupled Plasma：磁性增强电感耦合等离子体)方式等下等离子体密度在10¹²cm^-3以上。

已知DLC层的拒水性较高，与水的接触角(以下简记为接触角)较大。由于耐腐蚀性越高的致密膜，其拒水性越高，因此，提出了利用这一性质并用接触角来规定保护层从而得到高耐腐蚀性的方法。例如，参照日本专利特开S61-222024号公报、日本专利特开H08-167138号公报、日本专利特开H09-237415号公报1～3。日本专利特开S61-222024号公报的特征在于接触角为75度以上，日本专利特开H08-167138号公报的特征在于接触角为60度以上。而日本专利特开H09-237415号公报的特征在于接触角为80度以上。