[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，所述衬底由化合物半导体制成并且具有凹部，所述凹部在所述衬底的一个主表面处开口并且具有侧壁表面；

栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜被设置在所述侧壁表面中的每一个上并且与所述侧壁表面中的每一个接触；以及

栅电极，所述栅电极被设置在所述栅极绝缘膜上并且与所述栅极绝缘膜接触，

所述衬底包括：

源极区，所述源极区具有第一导电类型，并且当在沿着厚度方向的横截面中看时，被设置为暴露在所述侧壁表面处；以及

体区，所述体区具有第二导电类型，并且当从所述源极区看时，被设置为在与所述一个主表面相反的一侧与所述源极区接触，以便暴露在所述侧壁表面处，

当在平面图中看时，所述凹部具有封闭的形状，

当在所述凹部中从任意位置看时，所述侧壁表面在每个方向上提供向外突出的形状，

其中，所述凹部的所述侧壁表面包括具有{0-33-8}的面取向的第一面，

其中，所述凹部的所述侧壁表面在微观上包括所述第一面，并且所述侧壁表面在微观上进一步包括具有{0-11-1}的面取向的第二面，并且

所述凹部的所述侧壁表面的所述第一面和所述第二面包括具有{0-11-2}的面取向的组合面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，当在平面图中看时，所述凹部具有多边形的形状。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，与所述多边形的边相对应的所述侧壁表面中的至少两个侧壁表面被形成为包括所述化合物半导体的结晶学等效面。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体器件，其中，所述凹部具有底壁表面，并且所述侧壁表面中的每一个与所述底壁表面形成大于90°的角。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述凹部的所述侧壁表面在宏观上相对于{000-1}面具有62°±10°的偏离角。