[发明专利]导电性部件的制造方法、导电性部件、使用了该导电性部件的触控面板有效

专利信息
申请号: 201380015341.X 申请日: 2013-02-28
公开(公告)号: CN104221098A 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 片桐健介 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;G06F3/041;H01B5/14
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 丁香兰;庞东成
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 导电性 部件 制造 方法 使用 面板
【权利要求书】:

1.一种导电性部件的制造方法,其特征在于,该导电性部件的制造方法包括以下工序:

在基板上以图案状形成包含金属纳米线的导电层和包含光散射性微粒的光散射性层中的任一种的工序;

在以图案状形成的一种层之间形成另一种层的工序。

2.如权利要求1所述的导电性部件的制造方法,其中,所述导电层与所述光散射性层的雾度的比例、即光散射性层的雾度/导电层的雾度为0.7以上1.3以下。

3.如权利要求1或2所述的导电性部件的制造方法,其中,所述导电层和所述光散射性层包含由下述通式(II)表示的化合物水解和缩聚而得到的基体,

M1(OR1)aR24-a   (II)

通式(II)中,M1表示选自Si、Ti和Zr中的元素,R1、R2各自独立地表示氢原子或烃基,a表示2~4的整数。

4.如权利要求1~3的任一项所述的导电性部件的制造方法,其中,所述金属纳米线的平均短轴长为150nm以下。

5.如权利要求1~4的任一项所述的导电性部件的制造方法,其中,所述金属纳米线的平均长轴长为1μm~40μm。

6.如权利要求1~5的任一项所述的导电性部件的制造方法,其中,构成所述导电层的所述金属纳米线的含量在导电层中为1.0mg/m2~150.0mg/m2

7.如权利要求1~6的任一项所述的导电性部件的制造方法,其中,所述金属纳米线包含银。

8.如权利要求1~7的任一项所述的导电性部件的制造方法,其中,所述导电层与所述光散射性层的厚度之差为较薄的层的厚度的500%以下。

9.如权利要求1~8的任一项所述的导电性部件的制造方法,其中,所述以图案状形成的工序为下述工序:在所述导电层和所述光散射性层中的任一种层上以图案状适用光致抗蚀剂,在所述光致抗蚀剂的开口部适用可溶解所述一种层的液体。

10.如权利要求1~8的任一项所述的导电性部件的制造方法,其中,所述以图案状形成的工序为下述工序:在所述导电层和所述光散射性层中的任一种层上以图案状施加光致抗蚀剂,在所述光致抗蚀剂的开口部施加可溶解所述一种层的液体。

11.如权利要求9或10所述的导电性部件的制造方法,其中,在施加可溶解所述一种层的液体后,在所述光致抗蚀剂的开口部形成所述另一种层,将所述光致抗蚀剂剥离。

12.如权利要求1~8的任一项所述的导电性部件的制造方法,其中,所述以图案状形成的工序为以图案状印刷所述导电层和所述光散射性层中的任一种层的工序。

13.如权利要求1~8的任一项所述的导电性部件的制造方法,其中,所述以图案状形成的工序为对所述导电层和所述光散射性层中的任一种层进行图案曝光、显影的工序。

14.如权利要求1~13的任一项所述的导电性部件的制造方法,其中,所述制造方法包括:在所述基板上以图案状形成包含所述金属纳米线的导电层后,在形成为图案状的所述导电层之间形成包含所述光散射性微粒的光散射性层。

15.如权利要求1~13的任一项所述的导电性部件的制造方法,其中,所述制造方法包括:在所述基板上以图案状形成包含所述光散射性微粒的光散射性层后,在形成为图案状的所述光散射性层之间形成包含所述金属纳米线的导电层。

16.一种导电性部件,其特征在于,

该导电性部件具有基板、包含金属纳米线的导电层、和至少包含光散射性微粒的光散射性层,

相对于所述导电层的单位面积的所述金属纳米线的根数,所述光散射性层的单位面积的所述金属纳米线的根数为5%以下,

相对于所述光散射性层的单位面积的所述光散射性微粒的个数,所述导电层的单位面积的所述光散射性微粒的个数为5%以下。

17.如权利要求16所述的导电性部件,其中,所述导电层与所述光散射性层的雾度的比例、即光散射性层的雾度/导电层的雾度为0.7以上1.3以下。

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