[发明专利]电阻加热器有效
| 申请号： | 201380015871.4 | 申请日： | 2013-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104206003B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 森川裕次;松井诚彦;大高昭伸;樋口刚史;藤村研介;陆中浩 | 申请（专利权）人： | 莫门蒂夫性能材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H05B3/20 | 分类号： | H05B3/20 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 杨生平;钟锦舜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 加热器 | ||
1.一种用于处理半导体晶片的方法，该方法包括步骤：
a)提供具有本体的电阻加热器，所述本体包括：至少一个加热表面，所述加热表面是平滑的且平坦的；凹入部，其形成在所述本体中，至少一部分所述本体具有水平对称的横截面形状；并且其中所述横截面形状沿着至少一部分所述本体延伸；
b)将半导体晶片支撑在所述至少一个加热表面上；
c)将电流施加到所述加热器；以及
d)将所述半导体晶片加热到预定温度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述本体还包括第一端部与第二端部，并且其中，所述凹入部未形成在所述第一端部与所述第二端部中。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一端部与所述第二端部包括终端连接孔。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一端部与所述第二端部具有与限定在所述第一端部与所述第二端部之间的加热区域相同的宽度，并且所述凹入部未形成在所述第一端部与所述第二端部中。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述本体涂覆以PBN与SiC中的至少一种。
6.一种电阻加热器，其包括：
本体，所述本体包括：
至少一个加热表面，所述加热表面是平滑的并且平坦的；
凹入部，其形成在所述本体中，至少一部分所述本体具有水平对称的横截面形状；并且
其中所述横截面形状沿着至少一部分所述本体延伸。
7.根据权利要求6所述的电阻加热器，其中，至少一部分所述本体的所述横截面形状是I状或H状的。
8.根据权利要求6所述的电阻加热器，其中，所述凹入部形成在所述本体的第一表面与第二表面的一部分中，以形成I状的横截面形状。
9.根据权利要求8所述的电阻加热器，其中，所述第一表面与所述第二表面 分别是所述本体的顶面与底面。
10.根据权利要求6所述的电阻加热器，其中，所述凹入部形成在所述本体的第一表面与第二表面的一部分中，以形成H状的横截面形状。
11.根据权利要求10所述的电阻加热器，其中，所述第一表面与所述第二表面是所述本体的相对侧表面。
12.根据权利要求6所述的电阻加热器，其中，所述本体沿着其长度具有均匀的宽度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于莫门蒂夫性能材料股份有限公司，未经莫门蒂夫性能材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380015871.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
