[发明专利]电阻加热器

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年3月20日提交的标题为“电阻加热器”的美国专利申请第13/424,947的权益，其是2009年1月26日提交的美国专利申请第12/321,284的部分继续申请，二者均通过引用的方式整体地包含于此。

技术领域

本发明涉及由诸如石墨、SiC等材料制成的电阻加热器，并且更具体地说，涉及将要用于在其中执行例如CVD(化学蒸汽沉积)或其它涂覆方法的半导体晶片处理设备中直接或间接地加热半导体晶片的加热器。

背景技术

在公布号为2005-86117(A)的日本专利中公开了现有技术加热器的实例。此加热器采用具有比厚度更大宽度的长方形横截面的细长陶瓷本体，其形成为环形或螺旋形构造。此加热器具有低电阻，因此其将需要使用以低电压与高电流操作的电源，导致用于电源的成本增加。此外，尤其当加热器受到高温条件时，此加热器将趋于弯曲、扭曲或变形。这使得不能均匀地加热将要在高温下处理的晶片或任何其它物体。

这里在图3中示出了现有技术加热器的通常形状，其包括具有连接孔的终端部分的放大图。终端部分在端部具有加宽与扩大形状的原因在于此部分需要减小的电阻以防止此部分过热。然而，当使用此加热器时，此扩大的终端部分可能使得加热模式的设计更加困难。通过具有扩大终端部分的现有技术加热器不能够实现简单加热模式。

发明内容

因此，本发明提供了一种具有高电阻与改进强度的加热器以防止甚至在高温条件下的加热器的变形。本发明还防止在加热器的终端部分处过多的热量生成，同时终端部分保持狭窄并且不扩大，由此在加热模式设计中提供了更宽的 选择。

电阻加热器可以包括本体。电阻加热器的本体可以包括：至少一个加热表面，此加热表面是大体平滑的并且大体平坦的；形成在本体中的凹入部，至少一部分该本体具有选自下述形状的横截面形状：大体U状、大体I状、以及大体H状，并且其中所述横截面形状沿着至少一部分所述本体延伸。

一种用于处理半导体晶片的方法，该方法可以包括提供具有本体的电阻加热器的步骤，所述本体包括：至少一个加热表面，该加热表面是大体平滑的且大体平坦的；形成在本体中的凹入部，至少一部分该本体具有大体水平对称的横截面形状；并且其中该横截面形状至少沿着至少一部分本体延伸。该方法还可以包括：将半导体晶片支撑在至少一个加热表面上；将电流施加到加热器；以及将半导体晶片加热到预定温度。

电阻加热器可以包括本体。本体可以包括至少一个加热表面，该加热表面是大体平滑的且大体平坦的。本体还可以包括形成在本体中的凹入部，至少一部分该本体具有大体上水平对称的横截面形状；并且其中该横截面形状沿着至少一部分本体延伸。

附图说明

通过下面结合附图理会时的描述，能够理解本发明的其它目的与优点，在附图中：

图1是体现本发明的电阻加热器的平面图；

图2是沿着图1中的线A-A所剖切的放大横截面；

图3示出了传统的加热器，其中图3(a)是其局部平面图，并且图3(b)是沿着图(a)中的线B-B所剖切的放大横截面。

图4是体现螺旋形形状的电阻加热器的平面图；；

图5是体现长方形形状的电阻加热器的平面图；

图6是电阻加热器的其它实施方式的平面图；

图7是沿着线7-7所剖切的图6的电阻加热器的放大横截面视图。

图8是电阻加热器的其它实施方式的平面图；以及

图9是沿着线9-9所剖切的图8的电阻加热器的放大横截面视图。

具体实施方式

现在将详细参照本发明的示例性实施方式，在附图中示出了其实例。应该理解的是，在不偏移本发明的相应范围的情况下，可以利用其它实施方式并且可以作出结构性与功能性改变。此外，在不偏离本发明的范围的情况下，可以结合或更改多个实施方式的特征。同样，下面的描述仅通过说明的方式提出并且不应该以任何方式限定对示出的实施方式做出各种替换与修改并且仍然在本发明的精神和范围内。