[发明专利]在硅基板上形成III/V族共形层的方法有效

专利信息
申请号: 201380016402.4 申请日: 2013-03-01
公开(公告)号: CN104205298B 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 鲍新宇;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;戴维·基思·卡尔森;叶祉渊 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205;H01L29/78;H01L29/778
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 代理人: 徐金国,赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 硅基板上 形成 iii 族共形层 方法
【权利要求书】:

1.一种形成层的方法,所述方法包括:

将基板在处理腔室中定位,所述基板包括暴露表面;

将第一III族前驱物气体输送至所述基板的所述暴露表面,以在所述暴露表面上沉积III族成核层,其中所述III族成核层无V族元素;和

输送第二III族前驱物和V族前驱物,以在所述III族成核层上沉积III/V族层。

2.如权利要求1所述的方法,其中在停止所述第二III族前驱物之后,所述V族前驱物持续流动。

3.如权利要求1所述的方法,其中在输送所述第一III族前驱物之前将所述腔室加热至第一温度,并且其中在停止所述V族前驱物流动之前冷却所述腔室。

4.如权利要求1所述的方法,其中所述第一III族前驱物和所述第二III族前驱物包含选自由铝、镓、铟或它们的组合构成的组的III族元素。

5.如权利要求1所述的方法,其中所述III/V族层是三元层。

6.一种形成层的方法,所述方法包括:

清洗基板的暴露表面;

在第一温度下在所述暴露表面上方沉积III族成核层,其中所述III族成核层无V族元素;

在第二温度下在所述III族成核层上沉积二元或三元III/V族层;和

退火所述二元或三元III/V族层。

7.如权利要求6所述的方法,其中所述III族成核层沉积为介于10nm到30nm之间的厚度。

8.如权利要求6所述的方法,其中所述第二温度高于所述第一温度。

9.如权利要求6所述的方法,进一步包括沉积一或更多层附加的二元或三元III/V族层并且退火所述附加的二元或三元III/V族层。

10.如权利要求9所述的方法,其中在沉积所述附加的二元或三元III/V族层期间维持所述第二温度。

11.一种装置,所述装置包括:

硅基板,所述硅基板包括:

第一表面;和

第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对设置;

III族成核层,所述III族成核层设置在所述硅基板的所述第一表面上,其中所述III族成核层无V族元素;和

III/V族缓冲层,所述III/V族缓冲层位于所述III族成核层上方。

12.如权利要求11所述的装置,进一步包括形成在所述III/V族缓冲层上的一或更多层二元或三元的III/V族层。

13.如权利要求12所述的装置,其中所述III/V族缓冲层或所述一或更多层二元或三元的III/V族层由与所述缓冲层中相同的III族元素或相同的V族元素所构成。

14.如权利要求11所述的装置,其中所述III族成核层和所述III/V族缓冲层包含选自由铝、镓、铟或它们的组合构成的列表的III族元素。

15.如权利要求11所述的装置,其中所述III/V族缓冲层包含选自由磷、砷或它们的组合构成的列表的V族元素。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380016402.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top