[发明专利]在硅基板上形成III/V族共形层的方法

权利要求书

1.一种形成层的方法，所述方法包括：

将基板在处理腔室中定位，所述基板包括暴露表面；

将第一III族前驱物气体输送至所述基板的所述暴露表面，以在所述暴露表面上沉积III族成核层，其中所述III族成核层无V族元素；和

输送第二III族前驱物和V族前驱物，以在所述III族成核层上沉积III/V族层。

2.如权利要求1所述的方法，其中在停止所述第二III族前驱物之后，所述V族前驱物持续流动。

3.如权利要求1所述的方法，其中在输送所述第一III族前驱物之前将所述腔室加热至第一温度，并且其中在停止所述V族前驱物流动之前冷却所述腔室。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一III族前驱物和所述第二III族前驱物包含选自由铝、镓、铟或它们的组合构成的组的III族元素。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述III/V族层是三元层。

6.一种形成层的方法，所述方法包括：

清洗基板的暴露表面；

在第一温度下在所述暴露表面上方沉积III族成核层，其中所述III族成核层无V族元素；

在第二温度下在所述III族成核层上沉积二元或三元III/V族层；和

退火所述二元或三元III/V族层。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述III族成核层沉积为介于10nm到30nm之间的厚度。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述第二温度高于所述第一温度。

9.如权利要求6所述的方法，进一步包括沉积一或更多层附加的二元或三元III/V族层并且退火所述附加的二元或三元III/V族层。

10.如权利要求9所述的方法，其中在沉积所述附加的二元或三元III/V族层期间维持所述第二温度。

11.一种装置，所述装置包括：

硅基板，所述硅基板包括：

第一表面；和

第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对设置；

III族成核层，所述III族成核层设置在所述硅基板的所述第一表面上，其中所述III族成核层无V族元素；和

III/V族缓冲层，所述III/V族缓冲层位于所述III族成核层上方。

12.如权利要求11所述的装置，进一步包括形成在所述III/V族缓冲层上的一或更多层二元或三元的III/V族层。

13.如权利要求12所述的装置，其中所述III/V族缓冲层或所述一或更多层二元或三元的III/V族层由与所述缓冲层中相同的III族元素或相同的V族元素所构成。

14.如权利要求11所述的装置，其中所述III族成核层和所述III/V族缓冲层包含选自由铝、镓、铟或它们的组合构成的列表的III族元素。

15.如权利要求11所述的装置，其中所述III/V族缓冲层包含选自由磷、砷或它们的组合构成的列表的V族元素。