[发明专利]在硅基板上形成III/V族共形层的方法有效
申请号: | 201380016402.4 | 申请日: | 2013-03-01 |
公开(公告)号: | CN104205298B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 鲍新宇;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;戴维·基思·卡尔森;叶祉渊 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L29/78;H01L29/778 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅基板上 形成 iii 族共形层 方法 | ||
1.一种形成层的方法,所述方法包括:
将基板在处理腔室中定位,所述基板包括暴露表面;
将第一III族前驱物气体输送至所述基板的所述暴露表面,以在所述暴露表面上沉积III族成核层,其中所述III族成核层无V族元素;和
输送第二III族前驱物和V族前驱物,以在所述III族成核层上沉积III/V族层。
2.如权利要求1所述的方法,其中在停止所述第二III族前驱物之后,所述V族前驱物持续流动。
3.如权利要求1所述的方法,其中在输送所述第一III族前驱物之前将所述腔室加热至第一温度,并且其中在停止所述V族前驱物流动之前冷却所述腔室。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述第一III族前驱物和所述第二III族前驱物包含选自由铝、镓、铟或它们的组合构成的组的III族元素。
5.如权利要求1所述的方法,其中所述III/V族层是三元层。
6.一种形成层的方法,所述方法包括:
清洗基板的暴露表面;
在第一温度下在所述暴露表面上方沉积III族成核层,其中所述III族成核层无V族元素;
在第二温度下在所述III族成核层上沉积二元或三元III/V族层;和
退火所述二元或三元III/V族层。
7.如权利要求6所述的方法,其中所述III族成核层沉积为介于10nm到30nm之间的厚度。
8.如权利要求6所述的方法,其中所述第二温度高于所述第一温度。
9.如权利要求6所述的方法,进一步包括沉积一或更多层附加的二元或三元III/V族层并且退火所述附加的二元或三元III/V族层。
10.如权利要求9所述的方法,其中在沉积所述附加的二元或三元III/V族层期间维持所述第二温度。
11.一种装置,所述装置包括:
硅基板,所述硅基板包括:
第一表面;和
第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对设置;
III族成核层,所述III族成核层设置在所述硅基板的所述第一表面上,其中所述III族成核层无V族元素;和
III/V族缓冲层,所述III/V族缓冲层位于所述III族成核层上方。
12.如权利要求11所述的装置,进一步包括形成在所述III/V族缓冲层上的一或更多层二元或三元的III/V族层。
13.如权利要求12所述的装置,其中所述III/V族缓冲层或所述一或更多层二元或三元的III/V族层由与所述缓冲层中相同的III族元素或相同的V族元素所构成。
14.如权利要求11所述的装置,其中所述III族成核层和所述III/V族缓冲层包含选自由铝、镓、铟或它们的组合构成的列表的III族元素。
15.如权利要求11所述的装置,其中所述III/V族缓冲层包含选自由磷、砷或它们的组合构成的列表的V族元素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造