[发明专利]用于处理和用于运输高纯度和超高纯度化学品的容器

说明书

技术领域

本发明涉及特殊实施的空容器，用于容纳高纯度和超高纯度对空气和/或水分敏感的化学品，其具有用于连接、填充、清空以及清洗该空容器的单元，并且本发明还涉及其应用。

背景技术

例如，在微电子器件中使用的硅化合物在其纯度上必须符合特别高的要求。尤其需要相应的硅化合物来制造高纯度的借助外延由硅制成、或由氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)、氮氧化硅(SiON)、碳氧化硅(SiOC)或碳化硅(SiC)制成的薄层。在该应用领域中，原料化合物(Ausgangsverbindung)的在ppb至ppt范围内的杂质就已经产生干扰，其可导致由此制造的层的性质的非期望改变。以所要求纯度的所述化合物是电子、半导体工业、太阳能电池制造领域中以及在医药工业中渴望得到的原料化合物。

高纯度或超高纯度化学品尤其在半导体工业中使用，其中现阶段已消耗了百吨规模的超高纯度或“电子级(electronic grade)”硅化合物和锗化合物。这尤其是为了在Si晶片上制造外延硅层或为了在电子芯片上制造二氧化硅绝缘层所使用的三氯硅烷(Trichlorsilan)、四氯化硅(Siliciumtetrachlorid)或四乙氧基硅烷(Tetraethoxysilan)。

通常利用相对小的容器尺寸来工作，以便使例如在消耗时可能的杂质风险最小化。容器尺寸在过去基本上与后面的方法步骤相匹配，使得容器尽可能在该方法步骤中被清空。除此之外，通过这种处理方式可惜不总是能避免污染、例如由于通过多次打开和关闭容器可能形成的水解产物(Hydrolyseprodukte)所造成的污染。

因此，尤其还因为现今在相应生产步骤中所实现的提高的总产量，在进行的工艺内更换容器并且在重新填充容器时，高纯度和超高纯度化合物的产物污染的风险大大升高了。

然而，至今针对高纯度或超高纯度化学品的处理和运输公知有例如从US 5,465,766、US 5,878,793、US 2002/0020449 A1、WO 00/79170 A1或 WO 2009/053134 A1中得知的容器(参照图1)，这些容器虽然充其量拥有带有两个阀及用于交叉清洗(“cross-purge”)的一个阀和标准连接件(Anschluss)的清洗系统，但是在此不能保证，在关于重新填充的清洗过程之后，过去产物的残留物(Reste)(随后也称沉积物(Neige))还残留在容器中，并且因此可导致新的待处理的高纯度和超高纯度产物的大量杂质，尽管清洗过程的执行通常是本领域技术人员公知的或者是通过操作指南预先规定的。

发明内容

本发明的任务是，提供了另外一种系统，其以简单和经济的方式实现了使关于处理和运输高纯度和超高纯度化学品的污染风险进一步最小化。

根据本发明，按照独立权利要求的特征解决了该任务。此外，本发明的优选实施方式的特征自从属权利要求得知。

因此，令人意想不到地发现，通过使用用于容纳高纯度和超高纯度的对空气和/或水分敏感的液体或可冷凝的(kondensierbar)化合物的如下空容器(1)(下文还简称为容器)导致再次填充空容器时杂质事件明显最小化：所述空容器主要包括具有柱形壳体(3)的贮藏器和处于柱形壳体两侧的底部(4a)和上封闭件(4b、4b')、含有关断/多路和清洗系统(5)和所分配的浸入管(7)的所分配的连接单元(2)，其中浸入管的下端部(7a)伸入到凹陷(4c)(凹腔)中，所述凹陷（4c）被置入或放入在底部(4a)中并且是底部的最深部位，和/或浸入管的下端部(7a)被斜切，并且被斜切的浸入管的顶端(7b)与底部(4a)的最深点接近直到小于2mm，优选地小于等于1mm，或其与被斜切的浸入管的顶端(7b)接触。

根据本发明的容器有利地实现了：在清洗过程时残留的沉积物的量再次明显降低，或减少了直到无残留地去除杂质为止的清洗过程的次数，并且因此也使关于重新填充的污染风险进一步最小化。

附加地，根据本发明的容器由于其机械和化学性质(如耐压强度、贮藏器内侧及和产物接触的面的表面粗糙度、所使用的材料以及包括连接单元的空容器的密封性)而有利地以能够容纳高纯度或超高纯度的对空气和/或水分敏感的液体或可冷凝的化合物为特征。

因此，通过使用根据本发明的空容器可以简单和经济的方式使处理高纯度和超高纯度化合物时由杂质引起的、例如在质量保证的范围内确定的或通过客户投诉而变得众所周知的经济损失再次明显减少。