[发明专利]碳化硅半导体器件

权利要求书

1.一种碳化硅半导体器件，包括：

碳化硅衬底，所述碳化硅衬底包括第一导电类型的第一层、设置在所述第一层上的第二导电类型的第二层、和设置在所述第二层上并且掺杂有用于提供所述第一导电类型的杂质的第三层，所述碳化硅衬底具有被形成为穿过所述第三层和所述第二层以到达所述第一层的沟槽，所述第一层在离开所述第一层中的所述沟槽的位置具有所述杂质的浓度峰值；

栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜覆盖所述沟槽；和

栅电极，所述栅电极设置在所述栅极绝缘膜上，所述栅电极在所述栅极绝缘膜介于所述栅电极和所述第二层之间的情况下面向所述第二层的表面。

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其中

所述第二层在离开所述第二层中的所述沟槽的位置具有所述杂质的浓度峰值。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅半导体器件，其中

在所述沟槽的底部处的所述第一层中的所述杂质的浓度不小于所述第一层中所述杂质的浓度的最小值，并且不大于所述最小值的110％。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的碳化硅半导体器件，其中

在所述沟槽的底部，所述杂质的所述浓度峰值的分布具有不小于1×10¹¹/cm²的剂量。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的碳化硅半导体器件，其中

所述碳化硅衬底是由具有多型4H的六方晶结构的碳化硅制成的。

6.根据权利要求5所述的碳化硅半导体器件，其中

所述第二层的所述表面包括具有{0-33-8}的面取向的第一面。

7.根据权利要求6所述的碳化硅半导体器件，其中

所述表面微观上包括所述第一面，并且进一步微观上包括具有{0-11-1}的面取向的第二面。

8.根据权利要求7所述的碳化硅半导体器件，其中

所述表面的所述第一和第二面形成具有{0-11-2}的面取向的组合面。

9.根据权利要求8所述的碳化硅半导体器件，其中

所述表面宏观上具有相对{000-1}面的62°±10°的偏离角。