[发明专利]树脂组合物和半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及树脂组合物和半导体装置。

背景技术

伴随近年来电子设备的高性能化和轻薄短小化的要求，这些电子设备所使用的半导体封装体的小型化和多脚化也相对于现有技术进一步发展。

该半导体封装体具有电路基板和通过金属凸块与电路基板电连接的半导体芯片(半导体元件)，通过由树脂组合物构成的封装件将半导体芯片封装(覆盖)。另外，在封装半导体芯片时，树脂组合物也填充在电路基板与半导体芯片之间的间隙中而得到加固(例如参照专利文献1)。通过设置这样的封装件(模具底部填充件，mold underfill)，可以获得可靠性高的半导体封装体。

另外，树脂组合物含有固化型树脂和无机填充材料等，上述封装件例如通过传递成形等将该树脂组合物成形而获得。在此，伴随着近年来半导体封装体的小型化、多脚化，将电路基板侧与半导体芯片侧连接的金属凸块的间距减小，基板与半导体芯片之间的间隙距离减小。因此，希望开发出不引起空隙、能够填充在基板与半导体芯片之间、流动性和填充性优异的树脂组合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-307645号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明提供一种能够发挥优异的流动性和填充性的树脂组合物、以及使用该树脂组合物的可靠性高的半导体装置。

用于解决课题的方法

根据本发明，提供一种封装用的树脂组合物，其含有固化型树脂(B)和无机填充材料(C)，用于封装设置于基板上的半导体元件，并且填充在上述基板与上述半导体元件之间的间隙中，

将上述无机填充材料(C)所含的颗粒的体积基准粒度分布中从大粒径一侧起的累积频度达到5％处的粒径设为R_max(μm)、

将上述无机填充材料(C)所含的颗粒的体积基准粒度分布的最大的峰的粒径设为R(μm)时，

R＜R_max，

1μm≤R≤24μm，

R/R_max≥0.45。

此外，根据本发明，还提供一种树脂组合物，其含有固化型树脂(B)和无机填充材料，用于封装设置于基板上的半导体元件，并且在该封装时也填充在上述基板与上述半导体元件之间的间隙中，

上述树脂组合物通过将上述无机填充材料所含的第一颗粒(C1)和上述固化型树脂(B)混合而得到，

上述第一颗粒(C1)的最大粒径为R1_max[μm]，

将上述第一颗粒(C1)的众数径设为R1_mode[μm]时，满足4.5μm≤R1_mode≤24μm的关系，并且满足R1_mode/R1_max≥0.45的关系。

并且，根据本发明，还提供一种半导体装置，其具备：

基板；

设置于上述基板上的半导体元件；和

封装上述半导体元件、并且也填充在上述基板与上述半导体元件之间的间隙中的上述任一种的树脂组合物的固化物。

发明效果

根据本发明，能够提供一种封装半导体元件时的流动性和固化性优异的树脂组合物。由此，利用树脂组合物封装半导体元件时的树脂组合物的成形性得以提高。并且，能够在半导体元件与基板之间可靠地填充树脂组合物，抑制空隙的发生，因而能够提高产品(本发明的半导体装置)的可靠性。

附图说明

通过下述优选的实施方式以及以下的附图，上述目的和其它目的、特征以及优点更加明确。

图1是表示第一颗粒的粒度分布的图。

图2是用于说明中值径的图。

图3是半导体封装体的截面图。

图4是示意性地表示粉碎装置的一例的侧面图。

图5是示意性地表示图4所示的粉碎装置的粉碎部内部的俯视图。

图6是示意性地表示图4所示的粉碎装置的粉碎部的腔室的截面图。

图7(a)、(b)是表示树脂组合物所含的颗粒的体积基准粒度分布的图。

具体实施方式

下面，对于本发明的树脂组合物和半导体装置的优选实施方式进行说明。

图1是表示第一颗粒的粒度分布的图，图2是用于说明中值径的图，图3是半导体封装体的截面图，图4是示意性地表示粉碎装置的一例的侧面图，图5是示意性地表示图4所示的粉碎装置的粉碎部内部的俯视图，图6是示意性地表示图4所示的粉碎装置的粉碎部的腔室的截面图。