[发明专利]表面处理铜箔有效
申请号: | 201380018135.4 | 申请日: | 2013-03-29 |
公开(公告)号: | CN104220642B | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 福地亮 | 申请(专利权)人: | JX日矿日石金属株式会社 |
主分类号: | C23C28/00 | 分类号: | C23C28/00;B32B15/04;C23C22/24;H05K1/09 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 处理 铜箔 | ||
1.一种表面处理铜箔,其于最外层具有源自于胺基硅烷的硅烷偶合剂处理层、或含有通过干式镀敷而形成的Si与N的层,铜箔表面的Si附着量为3.1~300μg/dm2,铜箔表面的N附着量为2.5~690μg/dm2。
2.如权利要求1所述的表面处理铜箔,其中,铜箔表面的Si附着量为8.0~300μg/dm2,铜箔表面的N附着量为16.0~690μg/dm2。
3.如权利要求1所述的表面处理铜箔,其中,铜箔表面的Si附着量为20.5~245μg/dm2,铜箔表面的N附着量为16.4~565μg/dm2。
4.如权利要求1至3中任一项所述的表面处理铜箔,其系可挠性印刷配线板用铜箔。
5.如权利要求1至3中任一项所述的表面处理铜箔,其中,铜箔为压延铜箔或电解铜箔。
6.如权利要求1至3中任一项所述的表面处理铜箔,其系与液晶聚合物接合的铜箔。
7.如权利要求1至3中任一项所述的表面处理铜箔,其中,将电路宽度设为3mm通过压合而与Kuraray制造的Vecstar(注册商标)CT-Z的液晶聚合物接合的情形时,根据JIS C6471-1995所进行的90度常态剥离强度为0.3kg/cm以上。
8.如权利要求1至3中任一项所述的表面处理铜箔,被用于在超过1GHz的高频率下使用的可挠性印刷电路板。
9.如权利要求1至3中任一项所述的表面处理铜箔,其中,于铜箔表面具有选自由粗化处理层、耐热处理层、防锈处理层及硅烷偶合处理层构成的群中的1种以上的层。
10.如权利要求9项所述的表面处理铜箔,其中,所述防锈处理层包含铬酸盐处理层。
11.如权利要求1至3中任一项所述的表面处理铜箔,其中,于铜箔表面具有选自由耐热处理层、防锈处理层及硅烷偶合处理层构成的群中的1种以上的层。
12.如权利要求11项所述的表面处理铜箔,其中,所述防锈处理层包含铬酸盐处理层。
13.如权利要求1至3中任一项所述的表面处理铜箔,其中,于铜箔表面具有耐热处理层或防锈处理层,于该耐热处理层或防锈处理层上具有铬酸盐处理层,于该铬酸盐处理层上具有硅烷偶合处理层。
14.如权利要求1至3中任一项所述的表面处理铜箔,其中,于铜箔表面具有耐热处理层,于该耐热处理层上具有防锈处理层,于该防锈处理层上具有铬酸盐处理层,于该铬酸盐处理层上具有硅烷偶合处理层。
15.如权利要求1至3中任一项所述的表面处理铜箔,其中,于铜箔表面具有铬酸盐处理层,于该铬酸盐处理层上具有硅烷偶合处理层。
16.如权利要求1至3中任一项所述的表面处理铜箔,其中,于铜箔表面具有粗化处理层,于该粗化处理层上具有铬酸盐处理层,于该铬酸盐处理层上具有硅烷偶合处理层。
17.如权利要求1至3中任一项所述的表面处理铜箔,其中,于铜箔表面具有粗化处理层,于该粗化处理层上具有选自由防锈处理层及耐热处理层构成的群中的1种以上的层,于该选自由防锈处理层及耐热处理层构成的群中的1种以上的层上具有铬酸盐处理层,于该铬酸盐处理层上具有硅烷偶合处理层。
18.如权利要求1至3中任一项所述的表面处理铜箔,其中,于铜箔表面具有粗化处理层,于粗化处理层上具有耐热处理层,于该耐热处理层上具有防锈处理层,于该防锈处理层上具有铬酸盐处理层,于该铬酸盐处理层上具有硅烷偶合处理层。
19.如权利要求1至3中任一项所述的表面处理铜箔,其中,于铜箔表面具有粗化处理层,该粗化处理层具有一次粒子层与在该一次粒子层上的二次粒子层。
20.如权利要求1至3中任一项所述的表面处理铜箔,其中,于铜箔表面具有粗化处理层,该粗化处理层具有铜的一次粒子层与在该一次粒子层上的由3元系合金构成的二次粒子层,该3元系合金是由铜、钴及镍构成。
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