[发明专利]负型感光性硅氧烷组合物有效
申请号: | 201380018141.X | 申请日: | 2013-04-05 |
公开(公告)号: | CN104246612B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 横山大志;能谷敦子;田代裕治;吉田尚史;田中泰明;福家崇司;高桥惠;谷口克人;野中敏章 | 申请(专利权)人: | AZ电子材料(卢森堡)有限公司 |
主分类号: | G03F7/075 | 分类号: | G03F7/075 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人: | 刘激扬 |
地址: | 卢森堡(L-1*** | 国省代码: | 卢森堡;LU |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感光性 硅氧烷 组合 | ||
本发明提供可进行无机显影的负型感光性硅氧烷化合物、以及使用了其的固化膜的形成方法。一种负型感光性硅氧烷组合物,其包含聚硅氧烷、pKa为2.0~15.7的含硅的化合物、光聚合引发剂以及溶剂。可通过将该组合物涂布于基材上,进行曝光,然后利用无机显影液而显影,并进行加热,从而获得固化膜。
技术领域
本发明涉及负型感光性硅氧烷组合物。另外,本发明也涉及使用了该负型感光性硅氧烷组合物的固化膜的制造方法、由该负型感光性硅氧烷组合物形成的固化膜、以及具有该固化膜的元件。
背景技术
近年来,在显示器、发光二极管、太阳能电池等的光学元件方面,以提高光利用效率和/或节能为目的而提出了各种各样的提案。例如,在液晶显示器方面已知有如下方法:将透明的平整化膜覆盖形成于薄膜晶体管(以下有时会称为TFT)元件上,在该平整化膜上形成像素电极,从而提高显示装置的开口率(参照专利文献1)。在有机电场发光元件(以下有时会称为有机EL元件)的结构方面,也提出了如下的方法:通过由在形成于基板上的透明像素电极上蒸镀形成发光层并且从基板侧将发光取出的方式(底部发射),改变为将源自覆盖形成于TFT元件上的平整化膜上的透明像素电极以及其上的发光层的发光在与TFT元件侧的相反侧取出的方式(顶部发射),从而与液晶显示器同样地提高开口率(参照专利文献2)。
另外,人们对显示器的高分辨化、大型化、以及高画质化的要求在增高,另外伴随着3D显示等新的技术的导入,在配线上的信号延迟成为问题。通过提高图像信息的改写速度(帧频率数),从而缩短了信号向TFT输入的输入时间。然而,即使想要通过扩张配线宽度而降低配线电阻从而改善响应速度,也因高分辨化等要求而导致在配线宽度的扩张方面存在有限制。由此提出了通过增大配线厚度而解决信号延迟问题(参照非专利文献1)。
作为这样的TFT基板用平整化膜的材料之一,已知有以聚硅氧烷化合物和聚合引发剂为主的负型感光性材料。这样的聚硅氧烷化合物是通过在催化剂的存在下将具有二官能的官能团的硅烷化合物(例如二烷基二烷氧基硅烷)进行聚合而得到的化合物。但是,以往的含硅氧烷的负型感光性材料存在有如下这样的应改良的课题:在由无机显影液进行显影的情况下通过显影而应当去除的膜会在显影后残留下。由此,不易进行无机显影,该无机显影具有安全性高并且获得高于四甲基氢氧化铵等有机显影液的对比度的优点。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特许第2933879号说明书
专利文献2:日本特开2006-236839号公报
专利文献3:再表(WO)2006-073021号公报
专利文献4:日本特开2011-190333号公报
非专利文献
非专利文献1:IMID/IDMC/ASIA DISPLAY2008Digest(9页-12页)
发明内容
发明想要解决的课题
从这样的观点考虑,人们期望着开发出一种负型感光性硅氧烷组合物,其具有既存的感光性组合物以上的灵敏度和/或分辨率,形成的固化膜的光学特性或者物理特性为既存的固化膜以上,且可进行无机显影。
用于解决问题的方案
本发明的负型感光性硅氧烷组合物的特征在于包含:聚硅氧烷、在25℃的水中的pKa为2.0~15.7的含硅的化合物、光聚合引发剂、以及溶剂。
另外,本发明的固化膜的制造方法包含如下工序:将前述的负型感光性硅氧烷组合物涂布于基板而形成涂膜,将涂膜曝光,进行加热。
另外,本发明的固化膜的特征在于,其由前述的负型感光性硅氧烷组合物形成。
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