[发明专利]微粒污染物测量方法和装置

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年4月2日递交的美国临时申请61/619,209的权益，其在此通过引用全文并入。

技术领域

本发明涉及微粒污染物测量设备、用于从固体表面获得可移除的微粒污染物的取样器、适于测量表面的微粒污染物的方法以及用于制造用于从固体表面(例如光刻设备的部件的表面)获得可移除微粒污染物的取样器的方法。

背景技术

光刻设备是一种将期望的图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成将要在所述IC的单层上形成的电路图案。这种图案可以被转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案转移是通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上来实现的。通常，单个衬底将包含被连续形成图案的相邻的目标部分的网络。

光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。

图案印刷极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：

CD=k1*λNA---(1)]]>

其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于过程的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种途径获得：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长，并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在5-20nm范围内的波长的电磁辐射，例如在13-14nm范围内。还已经提出可以使用波长小于10nm的EUV辐射，例如波长在5-10nm范围内，例如6.7nm或6.8nm。这种辐射被称为极紫外辐射或软x射线辐射。可能的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于通过电子存储环提供的同步加速器辐射的源。

可以通过使用等离子体来产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器和用于容纳等离子体的源收集器装置。例如可以通过将激光束引导至燃料来产生等离子体，所述燃料诸如是合适的材料(例如锡)的微粒或者合适气体或蒸汽(例如氙气或锂蒸汽)的束流等。所形成的等离子体发出输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器来收集。辐射收集器可以是反射镜式正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦成束。源收集器装置可以包括包围结构或腔室，其布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常被称为激光产生的等离子体(LPP)源。

如果污染物进入EUV光刻设备，则污染物会将误差引入到通过EUV光刻设备投影到衬底上的图案中。例如，污染物微粒可以附着至EUV光刻设备中的图案形成装置的图案化区域，由此使得图案化的区域的一部分变模糊并将误差引入到投影束中。因此，期望减少EUV光刻设备中的污染物，尤其是微粒污染物。一种实现此的方法是测量将要用于组装EUV光刻设备的部件的表面的微粒污染物。如果部件表面的测量到的微粒污染物太多，则部件可以例如被抛弃和/或清洁。

已知的通过从给定表面去除微粒的接触清洁表面的原理使用组装在器件中的有粘性的材料，例如地板垫、接触辊或手动辊。在这种微粒去除装置中使用的各种粘性材料包括聚氨酯、橡胶或乳胶、或软的橡胶。

在用于将微粒转移到粘性材料的表面上并且用显微镜分析表面的微粒检测方法中使用这种粘性材料是已知的。带升降方法是例如使用例如橡胶带等粘性材料的分析方法。