[发明专利]磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201380020065.6 | 申请日： | 2013-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104221085B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 荻野真一 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/851 | 分类号： | G11B5/851;C23C14/34;G11B5/64;G11B5/65 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 王海川,穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 记录 形成 溅射 及其 制造 方法 | ||
1.一种溅射靶，其为含有C的FePt基磁记录膜形成用溅射靶，其特征在于，在与溅射面垂直的截面中的石墨(002)面的X射线衍射峰强度相对于在与溅射面平行的水平面中的石墨(002)面的X射线衍射峰强度的强度比为2以上。
2.如权利要求1所述的溅射靶，其为含有C的FePt基磁记录膜形成用溅射靶，其特征在于，在与溅射面垂直的截面中的Fe-Pt合金(100)面的X射线衍射峰强度相对于在与溅射面垂直的截面中的Fe-Pt合金(001)面的X射线衍射峰强度的强度比为1.0以下，并且在与溅射面平行的水平面中的Fe-Pt合金(100)面的X射线衍射峰强度相对于在与溅射面平行的水平面中的Fe-Pt合金(001)面的X射线衍射峰强度的强度比为1.0以上。
3.如权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，在与溅射面垂直的截面中的C相的平均厚度为10μm以下。
4.如权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，Pt含量为5摩尔％以上且60摩尔％以下。
5.如权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，C含量为10摩尔％以上且70摩尔％以下。
6.如权利要求4所述的溅射靶，其特征在于，C含量为10摩尔％以上且70摩尔％以下。
7.如权利要求4所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有0.5摩尔％以上且10摩尔％以下的选自由B、Ru、Ag、Au、Cu组成的组中的一种以上元素作为添加元素。
8.如权利要求5所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有0.5摩尔％以上且10摩尔％以下的选自由B、Ru、Ag、Au、Cu组成的组中的一种以上元素作为添加元素。
9.如权利要求6所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有0.5摩尔％以上且10摩尔％以下的选自由B、Ru、Ag、Au、Cu组成的组中的一种以上元素作为添加元素。
10.如权利要求4所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有选自由氧化物、氮化物、碳化物、碳氮化物组成的组中的一种以上无机物材料作为添加材料。
11.如权利要求5所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有选自由氧化物、氮化物、碳化物、碳氮化物组成的组中的一种以上无机物材料作为添加材料。
12.如权利要求6所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有选自由氧化物、氮化物、碳化物、碳氮化物组成的组中的一种以上无机物材料作为添加材料。
13.一种制造权利要求1～12中任一项所述的溅射靶的方法，其特征在于，将扁平状或板状的原料粉末粉碎混合后进行成形，并对该成形体进行单轴加压烧结。
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