[发明专利]磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及在磁记录介质的磁性体薄膜、尤其是热辅助磁记录介质的磁记录层的成膜中使用的强磁性材料溅射靶；涉及在使用磁控溅射装置进行溅射时能够获得稳定的放电且粉粒产生少的FePt基强磁性材料溅射靶。

背景技术

在以HDD(硬盘驱动器)为代表的磁记录介质的领域中，作为承担记录的磁性薄膜的材料，使用以作为强磁性金属的Co、Fe或Ni为基质的材料。例如，采用面内磁记录方式的硬盘的记录层一直使用以Co为主要成分的Co-Cr基或Co-Cr-Pt基强磁性合金。另外，采用近年来已实用化的垂直磁记录方式的硬盘的记录层多使用包含以Co为主要成分的Co-Cr-Pt基强磁性合金与非磁性无机物颗粒的复合材料。并且，从生产率高的观点出发，硬盘等的磁记录介质的磁性薄膜多数情况下通过使用以上述材料为成分的强磁性材料溅射靶进行溅射而制作。

另一方面，磁记录介质的记录密度逐年急速增大，认为将来会从目前的100千兆比特/平方英寸的面密度达到1万亿比特/平方英寸。记录密度达到1万亿比特/平方英寸时，记录比特(bit)的尺寸低于10nm，这种情况下，可以预料到由热起伏导致的超顺磁化成为问题，并且可以预料到，现在使用的磁记录介质、例如通过在Co-Cr基合金中添加Pt而提高了晶体磁各向异性的材料或者向其中进一步添加B而减弱了磁性颗粒间的磁耦合的介质是不充分的。这是因为，以10nm以下的尺寸稳定地表现出强磁性的颗粒需要具有更高的晶体磁各向异性。

出于上述原因，具有L1₀结构的FePt相作为超高密度记录介质用材料而受到关注。另外，具有L1₀结构的FePt相在耐腐蚀性、抗氧化性方面优良，因此被期待适合用作记录介质的材料。该FePt相具有在1573K的有序-无序转变温度，通常即使将合金从高温起进行淬火也会由于快速的有序化反应而具有L1₀结构。并且，使用FePt相作为超高密度记录介质用材料时，要求开发出使有序化的FePt颗粒以磁隔离的状态尽可能高密度且取向一致地分散的技术。

鉴于上述情况，提出了利用碳等非磁性材料使具有L1₀结构的FePt磁性颗粒磁隔离的粒状结构磁性薄膜用作采用热辅助磁记录方式的下一代硬盘的磁记录介质的方案。该粒状结构磁性薄膜形成如下结构：通过非磁性物质的插入而使得磁性颗粒彼此磁绝缘。作为粒状型磁记录介质及与其相关的公知文献，可以举出专利文献1、专利文献2、专利文献3、专利文献4、专利文献5、专利文献6、专利文献7等。

上述磁记录层由Fe-Pt合金等磁性相和将该磁性相隔离的非磁性相构成，作为非磁性相的材料之一，碳是有效的。这种磁记录层通常通过溅射成膜法形成，但是对于含有碳的强磁性材料溅射靶而言，碳容易凝聚并且难以烧结，想要使用磁控溅射装置进行溅射时，存在在溅射中引起异常放电、产生粉粒(附着在基板上的异物)这样的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-306228号公报

专利文献2：日本特开2000-311329号公报

专利文献3：日本特开2008-59733号公报

专利文献4：日本特开2008-169464号公报

专利文献5：日本特开2012-102387号公报

专利文献6：日本特开2011-208265号公报

专利文献7：国际公开WO/2012/086335号

发明内容

发明所要解决的问题

本发明的课题为提供上述磁记录层由FePt基合金等磁性相与将该磁性相隔离的非磁性相构成，使用碳(C)作为非磁性相的材料之一的强磁性材料溅射靶，提供在溅射时抑制了以容易凝聚的碳为起点的异常放电导致的粉粒产生的强磁性材料溅射靶。

用于解决问题的手段

为了解决上述课题，本发明人进行了深入研究，结果发现，通过使扁平状或板状的C相按照沿一定的取向对齐的方式进行分散，能够进行稳定的溅射，可以抑制异常放电。即发现，通过改善靶中C相的分散状态，可以抑制溅射的异常放电，并且可以减少粉粒的产生。

基于上述发现，本发明提供：

1)一种溅射靶，其为含有C的FePt基磁记录膜形成用溅射靶，其特征在于，在与溅射面垂直的截面中的石墨(002)面的X射线衍射峰强度相对于在与溅射面平行的水平面中的石墨(002)面的X射线衍射峰强度的强度比为2以上。