[发明专利]用于半导体封装的多层基底

权利要求书

1.一种半导体基底，所述半导体基底包括：

第一导体迹线层；

第二导体迹线层；

互连层，其设置在所述第一导体迹线层和所述第二导体迹线层之间，其中，所述互连层包括短柱，所述短柱连接所述第一导体迹线层和所述第二导体迹线层之间的选定区域；模制复合物，密封所述第一导体迹线层和所述互连层封装，所述第一导体迹线层暴露在所述模制复合物的表面上；以及

第二绝缘体层，沉积在所述第二导体迹线层上，所述第二绝缘体层密封所述第二导体迹线层；

其中，所述模制复合物通过正压力注入流体状态的复合物到内腔中而形成；

所述第二绝缘体层能够被操作以选择性地被移除，以暴露出所述第二导体迹线层的用于外部电连接的区域。

2.如权利要求1所述的半导体基底，其特征在于，所述模制复合物包括树脂和填料。

3.如权利要求2所述的半导体基底，其特征在于，已模制的封装被研磨以暴露所述短柱，然后，在已磨削的表面上，所述第二导体迹线层沉积在暴露的所述短柱上。

4.如权利要求3所述的半导体基底，其特征在于，所述第二导体迹线层形成在粘合层上，以促进所述第二导体迹线层的粘合。

5.如权利要求4所述的半导体基底，其特征在于，所述粘合层包括聚酰亚胺。

6.如权利要求1所述的半导体基底，其特征在于，所述暴露出的第二导体迹线层用于外部电连接的区域,由互连层的材料填补。

7.如权利要求3或4所述的半导体基底，其特征在于，还包括一个或多个中间堆积层，每个所述中间堆积层包括导体迹线层和互连层，而每个所述堆积层封装在模制复合物内，以使模制封装的表面被研磨并且然后由导体种子层沉积。

8.如权利要求1所述的半导体基底，其特征在于，还包括牺牲性载体的内部被蚀刻掉，以使加强载体环保持在所述基底的周边区域上或保持在一组导体布局的周围。

9.一种制造半导体基底的方法，所述方法包括：

在牺牲性载体上形成第一导体迹线层，其中，所述第一导体迹线层包括多个导体布局；

在所述第一导体迹线层上形成互连层，其中，所述互连层包括与所述第一导体迹线层的选定区域连接的短柱；

将所述第一导体迹线层和所述互连层设置在内腔中，并将流体状态的模制复合物以正压力注入到所述内腔中，以致密地封装所述第一导体迹线层和所述互连层，其模制复合物的总体高度高于第一导体迹线层和所述互连层加起来的高度；

将已模制的封装表面研磨成平坦的并暴露互连的短柱；

重复以上步骤以形成基底的附加堆积结构层，使得存在两个或更多个堆积的结构层；以及

选择性地移除所述牺牲性载体，以暴露出所述第一导体迹线层。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述模制复合物包括树脂和填料。

11.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，研磨已模制的封装体包括暴露二氧化硅填料以促进下一相邻层的粘合。

12.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，研磨已模制的封装体包括取出表面二氧化硅填料，以形成凹坑表面来促进下一相邻层的粘合。

13.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，还包括将粘合层沉积在已磨削的封装表面上。

14.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，沉积所述粘合层包括沉积聚酰亚胺层。

15.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，还包括在形成所述堆积结构层后形成最外导体迹线层。