[发明专利]III族氮化物半导体叠层衬底和III族氮化物半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 201380021901.2 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN104254908A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 松林雅和;寺口信明;伊藤伸之 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;C23C16/34;H01L21/205;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 衬底 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种III族氮化物半导体叠层衬底(100、200)，其特征在于，具备：
沟道层(5、205)，该沟道层(5、205)为III族氮化物半导体；和
势垒层(6、206)，该势垒层(6、206)形成在所述沟道层(5、205)上，与所述沟道层(5、205)形成异质界面，并且为III族氮化物半导体，
所述势垒层(6、206)中，距表面的深度为10nm以下的区域的Cu浓度为1.0×1010原子数/cm2以下。
2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体叠层衬底(100)，其特征在于：
所述沟道层(5)由GaN构成，
所述势垒层(6)由AlGaN构成。
3.如权利要求1所述的III族氮化物半导体叠层衬底(200)，其特征在于：
所述沟道层(205)由GaN构成，
所述势垒层(206)具有：
所述沟道层(205)侧的由AlGaN构成的层(212)；和
所述由AlGaN构成的层(212)上的由GaN构成的覆盖层(213)。
4.一种III族氮化物半导体场效应晶体管，其特征在于：
具备权利要求1～3中任一项所述的III族氮化物半导体叠层衬底(100、200)，
在所述势垒层(6、206)上设置有源极电极(7)、漏极电极(8)、和栅极电极(9)，
在所述势垒层(6、206)上的没有形成所述源极电极(7)、漏极电极(8)和栅极电极(9)的区域，设置有绝缘膜(10)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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