[发明专利]功率场效应晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管FET单元结构，其包括：

衬底；

第一导电类型的外延层，其在所述衬底上；

第二导电类型的第一及第二基极区域，其布置于所述外延层或阱内且间隔开；

第一导电类型的第一及第二源极区域，其分别布置于所述第一基极区域及所述第二基极区域内；

栅极结构，其通过绝缘层与所述外延层绝缘且布置于所述第一基极区域与所述第二基极区域之间的区域上方，且至少部分地覆盖所述第一基极区域及所述第二基极区域，

漏极触点，其从装置的顶部伸入穿过所述外延层以将顶部触点或金属层与所述衬底耦合。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管单元结构，其中所述漏极触点伸入到所述衬底中。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管单元结构，其中所述漏极触点通过连接所述漏极触点与所述衬底的植入物与所述衬底耦合。

4.根据权利要求3所述的场效应晶体管单元结构，其中所述植入物为掩埋层。

5.根据权利要求3所述的场效应晶体管单元结构，其中所述植入物为磷植入物。

6.根据权利要求2所述的场效应晶体管单元结构，其中所述漏极触点由蚀刻到所述外延层中的填充有导电材料的漏极孔形成。

7.根据权利要求6所述的场效应晶体管单元结构，其中所述导电材料为钨。

8.根据权利要求6所述的场效应晶体管单元结构，其中所述漏极孔经蚀刻而穿过所述外延层及形成于所述外延层的顶部上的氧化物层。

9.根据权利要求2所述的场效应晶体管单元结构，其中所述漏极触点由蚀刻到所述外延层中的填充有导电材料的漏极沟槽形成。

10.根据权利要求9所述的场效应晶体管单元结构，其中所述导电材料为钨。

11.一种功率场效应晶体管FET，其包括：

衬底；

第一导电类型的外延层，其在所述衬底上；

第二导电类型的多个第一及第二基极区域，其布置于所述外延层或阱内且间隔开；

第一导电类型的多个第一及第二源极区域，其分别布置于所述第一基极区域及所述第二基极区域内；

多个栅极结构，其通过绝缘层与所述外延层绝缘且布置于相应第一与第二基极区域之间的区域上方，且至少部分地覆盖相应第一及第二基极区域，及

至少一个漏极触点，其从装置的顶部伸入穿过所述外延层以将顶部触点或金属层与所述衬底耦合。

12.根据权利要求11所述的功率FET，其包括与多个所述第一源极区域及所述第二源极区域相关联的单个漏极触点。

13.根据权利要求11所述的功率FET，其中提供多个漏极触点，且其中给出第一及第二源极区域的数目与一相应漏极触点的预定义比率。

14.根据权利要求13所述的功率FET，其中提供多个漏极触点且其中所述比率>1。

15.根据权利要求11所述的功率FET，其中所述漏极触点伸入到所述衬底中。

16.根据权利要求11所述的功率FET，其中所述漏极触点通过连接所述漏极触点与所述衬底的植入物与所述衬底耦合。

17.根据权利要求16所述的功率FET，其中所述植入物为掩埋层。

18.根据权利要求15所述的功率FET，其中所述漏极触点由蚀刻到所述外延层中的填充有导电材料的漏极孔形成。

19.根据权利要求18所述的功率FET，其中所述漏极孔经蚀刻而穿过所述外延层及形成于所述外延层的顶部上的氧化物层。

20.根据权利要求15所述的功率FET，其中所述漏极触点由蚀刻到所述外延层中的填充有导电材料的漏极沟槽形成。

21.一种集成电路装置，其包括：

控制电路，其可操作以产生多个控制信号；

至少一个集成式功率场效应晶体管FET，其具有源极、漏极及与所述控制电路耦合以接收相应控制信号的栅极，所述至少一个集成式功率场效应晶体管FET包括：

衬底；

第一导电类型的外延层，其在所述衬底上；

第二导电类型的多个第一及第二基极区域，其布置于所述外延层或阱内且间隔开；

第一导电类型的多个第一及第二源极区域，其用以形成所述源极且分别布置于所述第一基极区域及所述第二基极区域内；

多个栅极结构，其用以形成所述栅极且通过绝缘层与所述外延层绝缘且布置于相应第一与第二基极区域之间的区域上方，且至少部分地覆盖相应第一及第二基极区域，及

至少一个漏极触点，其从所述装置的顶部伸入穿过所述外延层以将顶部触点或金属层与所述衬底耦合。