[发明专利]用核化抑制的钨特征填充

权利要求书

1.一种方法，所述方法包括:

提供包含特征的衬底，所述特征具有一个或多个特征开口和特征内部，

选择性抑制所述特征中的钨核化，使得沿特征轴具有差别抑制轮廓，其中选择性抑制在不蚀刻所述特征中的材料的情况下进行；以及

根据所述差别抑制轮廓选择性地将钨沉积在所述特征中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中选择性抑制所述特征中的钨核化包括使所述特征暴露于直接等离子体，同时向所述衬底施加偏置。

3.根据权利要求1所述的方法，其中选择性抑制所述特征中的钨核化包括使所述特征暴露于远程产生的等离子体。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中所述等离子体包含氮、氢、氧和碳活化物质中的一种或多种。

5.根据权利要求2或3所述的方法，其中所述等离子体为基于氮的和/或基于氢的。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其还包括在选择性抑制之前在所述特征中沉积钨层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述钨层通过脉冲核化层(PNL)工艺进行沉积。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述钨层共形沉积在所述特征中。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中所述选择性沉积钨包括化学气相沉积(CVD)工艺。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其还包括在所述特征中选择性沉积钨之后，在所述特征中沉积钨以完成特征填充。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其还包括在所述特征中选择性沉积钨之后，在所述特征中非选择性沉积钨。

12.根据权利要求11所述的方法，其中从选择性沉积到非选择性沉积的过渡包括允许CVD工艺在不沉积中间钨核化层的情况下继续。

13.根据权利要求11所述的方法，其中从选择性沉积到非选择性沉积的过渡包括在选择性沉积的钨上沉积钨核化层。

14.根据权利要求1-13中任一项所述的方法，其中选择性抑制钨核化包括处理所述特征的钨表面。

15.根据权利要求1-13中任一项所述的方法，其中选择性抑制钨核化包括处理所述特征的金属氮化物表面。

16.根据权利要求1-15中任一项所述的方法，其中所述特征填充在不蚀刻所述特征中的材料的情况下进行。

17.根据权利要求1-16中任一项所述的方法，其中所述特征是三维(3-D)结构的一部分。

18.根据权利要求1-17中任一项所述的方法，其还包括重复选择性抑制和选择性沉积的循环一次或多次以填充所述特征。

19.根据权利要求1-18中任一项所述的方法，其中选择性地抑制所述特征中的至少收缩部。

20.一种方法，所述方法包括：

使三维(3-D)结构中水平取向的特征暴露于直接等离子体，从而选择性抑制所述特征的一部分的钨核化，使得所述特征中存在差别抑制轮廓；以及

在选择性抑制所述特征的一部分之后，进行CVD操作，从而根据所述差别抑制轮廓选择性沉积钨。

21.一种方法，所述方法包括：

使衬底上的未填充或部分填充的特征暴露于直接等离子体，从而选择性抑制所述特征的一部分的钨核化，使得所述特征中存在差别抑制轮廓；以及

在选择性抑制所述特征的一部分之后，进行CVD操作，从而根据所述差别抑制轮廓选择性沉积钨。

22.一种装置，所述装置包括：

一个或多个室，其被构造成支撑衬底；

原位等离子体发生器，其被构造成在所述室中的一个或多个中产生等离子体；

气体入口，其被构造成将气体引导入所述一个或多个室中的每一个中；以及

控制器，其包括程序指令，所述程序指令用于：

产生基于氮和/或基于氢的等离子体，同时向所述衬底施加偏置功率，使得所述衬底暴露于所述等离子体；

在使所述衬底暴露于所述等离子体之后，使含钨前体和还原剂进入内部安置有所述衬底的室中以沉积钨。