[发明专利]不可逆电路元件

权利要求书

1.一种不可逆电路元件，其特征在于，

第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体以相互绝缘状态交叉地配置在由永久磁铁施加直流磁场的铁氧体，

将第1中心导体的一端作为第1端口，将第2中心导体的一端作为第2端口，将第3中心导体的一端作为第3端口，

第1端口与第1端子连接，第2端口与第2端子连接，第3端口与第3端子连接，

第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体各自的另一端相互连接并且接地，

分别针对第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体并联连接有电容元件，

按照满足以下公式的方式设定内部磁场以及饱和磁化强度，

(公式1)

γ(μ₀Hin+Ms)≤ω

γ：旋磁比

μo：真空导磁率

Hin：内部磁场

Ms：饱和磁化强度

ω：角频率。

2.根据权利要求1所述的不可逆电路元件，其特征在于，

所述电容元件的至少一个电容值可变。

3.一种不可逆电路元件，其特征在于，

第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体以相互绝缘状态交叉地配置在由永久磁铁施加直流磁场的铁氧体，

将第1中心导体的一端作为第1端口，将第2中心导体的一端作为第2端口，将第3中心导体的一端作为第3端口，

第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体各自的另一端相互连接并且经由串联连接的电感元件和电容元件接地，

分别针对第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体并联连接有电容元件，

分别在第1端口与第1端子之间、第2端口与第2端子之间以及第3端口与第3端子之间连接有电容元件，

按照满足以下公式的方式设定内部磁场以及饱和磁化强度，

(公式2)

γ(μ₀Hin+Ms)≤ω

γ：旋磁比

μo：真空导磁率

Hin：内部磁场

Ms：饱和磁化强度

ω：角频率。

4.根据权利要求3所述的不可逆电路元件，其特征在于，

所述电容元件以及所述电感元件中的至少一个电容值可变或者电感值可变。

5.一种不可逆电路元件，其特征在于，

第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体以相互绝缘状态交叉地配置在由永久磁铁施加直流磁场的铁氧体，

将第1中心导体的一端作为第1端口，将第2中心导体的一端作为第2端口，将第3中心导体的一端作为第3端口，将第3端口经由串联连接的电容元件和电阻元件接地，

第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体各自的另一端相互连接并且经由串联连接的电感元件和电容元件接地，

分别针对第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体并联连接有电容元件，

分别在第1中心导体与第1端子之间、第2端口与第2端子之间连接有电容元件，

按照满足以下公式的方式设定内部磁场以及饱和磁化强度，

(公式3)

γ(μ₀Hin+Ms)≤ω

γ：旋磁比

μo：真空导磁率

Hin：内部磁场

Ms：饱和磁化强度

ω：角频率。

6.根据权利要求5所述的不可逆电路元件，其特征在于，

所述电容元件以及所述电感元件中的至少一个电容值可变或者电感值可变。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的不可逆电路元件，其特征在于，

在第1端子与第2端子之间连接有电容元件。

8.根据权利要求7所述的不可逆电路元件，其特征在于，

连接于第1端子与第2端子之间的电容元件电容值可变。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的不可逆电路元件，其特征在于，

第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体分别相对于所述铁氧体被多圈卷绕。

10.根据权利要求9所述的不可逆电路元件，其特征在于，

第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体分别呈线状地配置于所述铁氧体以及绝缘体层上，并且通过形成于所述铁氧体以及绝缘体层的通孔导体连接成螺旋状。

11.根据权利要求9或者10所述的不可逆电路元件，其特征在于，

所述铁氧体以及所述永久磁铁相对于电路基板层叠地配置。