[发明专利]不可逆电路元件在审

专利信息
申请号: 201380024374.0 申请日: 2013-05-09
公开(公告)号: CN104272524A 公开(公告)日: 2015-01-07
发明(设计)人: 中嶋礼滋;牧野敏弘 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01P1/383 分类号: H01P1/383;H01P1/36
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 舒艳君;李洋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 可逆 电路 元件
【说明书】:

技术领域

本发明涉及不可逆电路元件,尤其涉及在微波频带使用的隔离器、循环器等不可逆电路元件。

背景技术

以往,隔离器、循环器等不可逆电路元件具有仅向预先决定的特定方向传输信号,而不向相反方向传输的特性。利用该特性,例如隔离器被用于便携式电话等移动体通信设备的发送电路部。

作为是这种不可逆电路元件且在与磁共振点相比低磁场动作的不可逆电路元件,已知有专利文献1所记载的不可逆电路元件。专利文献1所记载的不可逆电路元件为使用导磁率μ+’为负的区域的中磁场动作,因接近磁共振点而磁损耗变大,并且插入损耗变大。非专利文献1所记载的不可逆电路元件为使用导磁率μ+’为正的区域的低磁场动作,是波导管型(分布常数型)。波导管型的隔离器因为铁氧体以频率λ的1/2大小构成,所以在800MHz频带、数GHz频带大型化。另外,在低磁场动作中由较小的导磁率而使正负圆偏振波之间的相位差产生,所以需要频率λ的1/2左右的线路长,从而大型化,所以难以安装在便携式电话等。

其中,在本说明书中,将与磁共振点相比磁场高的区域定义为高磁场,将与磁共振点相比磁场低并且导磁率μ+’为负的区域定义为中磁场,将与磁共振点相比磁场低并且导磁率μ+’为正的区域定义为低磁场,由此使用磁场区域(高磁场、中磁场、低磁场)。

专利文献1:日本特开平10-284909号公报

非专利文献1:TDK Tech-Mag with ferrite(http://www.tdk.co.jp/techmag/ferrite/grain#54/flame54.htm)

发明内容

鉴于此,本发明的目的在于提供能够兼得小型化和低损耗的集中常数型的不可逆电路元件。

本发明的第1方式的不可逆电路元件,

第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体以相互绝缘状态交叉地配置在由永久磁铁施加直流磁场的铁氧体,

将第1中心导体的一端作为第1端口,将第2中心导体的一端作为第2端口,将第3中心导体的一端作为第3端口,

第1端口与第1端子连接,第2端口与第2端子连接,第3端口与第3端子连接,

第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体各自的另一端相互连接并且接地,

分别针对第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体并联连接有电容元件。

本发明的第2方式的不可逆电路元件,

第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体以相互绝缘状态交叉地配置在由永久磁铁施加直流磁场的铁氧体,

将第1中心导体的一端作为第1端口,将第2中心导体的一端作为第2端口,将第3中心导体的一端作为第3端口,

第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体各自的另一端相互连接并且经由串联连接的电感元件和电容元件接地,

分别针对第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体并联连接有电容元件,

分别在第1端口与第1端子之间、第2端口与第2端子之间以及第3端口与第3端子之间连接有电容元件。

本发明的第3方式的不可逆电路元件,

第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体以相互绝缘状态交叉地配置在由永久磁铁施加直流磁场的铁氧体,

将第1中心导体的一端作为第1端口,将第2中心导体的一端作为第2端口,将第3中心导体的一端作为第3端口,将第3端口经由串联连接的电容元件和电阻元件接地,

第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体各自的另一端相互连接并且经由串联连接的电感元件和电容元件接地,

分别针对第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体并联连接有电容元件,

分别在第1端口与第1端子之间、第2端口与第2端子之间连接有电容元件。

而且,上述第1、第2以及第3方式的不可逆电路元件的特征在于,分别按照满足以下公式的方式设定内部磁场以及饱和磁化强度。

(公式1)

γ(μ0Hin+Ms)≤ω

γ:旋磁比

μo:真空导磁率

Hin:内部磁场

Ms:饱和磁化强度

ω:角频率

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