[发明专利]防止相邻器件的短路的方法

权利要求书

1.一种防止相邻器件的短路的方法，包括：

在基板(109)上形成多个场效应晶体管的多个鳍(101-104)；

形成覆盖所述多个鳍的牺牲层(141)；

在所述牺牲层中产生开口(152)，所述开口位于第一鳍(102)和第二鳍(103)之间并且暴露其上形成有所述第一鳍和第二鳍的所述基板；

用电介质材料(162)填充所述开口以直接在所述基板的顶部以及在所述多个鳍中的所述第一鳍和所述第二鳍之间形成至少一个阻挡结构(162)；以及

从所述多个鳍生长外延膜(181-188)，所述外延膜从至少所述第一鳍和第二鳍的侧壁水平地延伸，并且所述阻挡结构(162)防止所述第一鳍和第二鳍通过所述外延膜彼此接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层包括与高温处理过程兼容的碳基材料，所述碳基材料是无定形碳或者无定形氮化碳。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层包括与高温处理过程兼容的聚酰亚胺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中填充所述开口包括通过在约500摄氏度下执行的原子层沉积ALD过程在所述开口中沉积氮化硅，或者通过在250～400摄氏度下的所述ALD过程在所述开口中沉积氧化铪或氧化铝。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括，在生长所述外延膜之前：

去除所述牺牲层，由此暴露所述牺牲层下面的所述多个鳍以及所述阻挡结构；以及

预清洁所述多个鳍以去除污染物和异物。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

沉积覆盖所述外延膜和所述阻挡结构的电介质层(191)；以及

产生导电接触件(1101-1102)，所述接触件穿过所述电介质层接触所述多个鳍和所述外延膜中的至少一个。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板是在氧化物层的顶上具有硅层的绝缘体上硅(SOI)基板，并且其中形成所述多个鳍包括蚀刻所述硅层成为位于所述氧化物层顶上的所述多个鳍。

8.一种防止相邻器件的短路的方法，包括：

在基板(109)上形成多个场效应晶体管的多个鳍(101-104)；

用牺牲层(141)覆盖所述多个鳍；

在所述牺牲层中产生开口(152)，所述开口位于第一鳍(102)和第二鳍(103)之间并且暴露其上形成有所述第一鳍和第二鳍的所述基板；以及

在所述开口内沉积电介质材料(162)以在所述多个鳍中的所述第一鳍和所述第二鳍之间在所述牺牲层内形成至少一个阻挡结构(162)，其中所述至少一个阻挡结构(162)的底部与所述第一鳍(102)和所述第二鳍(103)的底部齐平；以及

从所述多个鳍生长外延膜(181-188)，所述外延膜从所述第一鳍和第二鳍的侧壁朝着所述阻挡结构生长。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述牺牲层由与高温处理过程兼容的碳基材料制成，所述碳基材料是无定形碳或者无定形氮化碳。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述牺牲层是与高温处理过程兼容的聚酰亚胺层。

11.根据权利要求8所述的方法，其中在所述开口内沉积所述电介质材料包括通过在约500摄氏度下执行的原子层沉积ALD过程沉积氮化硅，或者通过在250～400摄氏度下的所述ALD过程沉积氧化铪，或者通过在250～400摄氏度下的所述ALD过程沉积氧化铝。

12.根据权利要求8所述的方法，还包括，在生长所述外延膜之前：

去除所述牺牲层，以暴露所述牺牲层下面的所述多个鳍以及所述阻挡结构；以及

预清洁所述多个鳍，由此去除在所述多个鳍的暴露表面处的污染物。

13.根据权利要求8所述的方法，还包括：

沉积覆盖所述外延膜和所述阻挡结构的电介质层(191)；以及

产生导电接触件(1101-1102)，所述接触件穿过所述电介质层接触所述多个鳍和所述外延膜中的至少一个。

14.根据权利要求8所述的方法，其中所述基板是在氧化物层的顶上具有硅层的绝缘体上硅(SOI)基板，并且其中形成所述多个鳍包括蚀刻所述硅层成为位于所述氧化物层顶上的所述多个鳍。