[发明专利]Na添加光吸收层用合金及其制造方法以及太阳能电池

权利要求书

1.一种光吸收层用合金的制造方法，其特征在于，是制造在铜、铟、镓、硒中添加有Ia族元素的光吸收层用合金的方法，其具备下述工序：

使包含铜、铟、镓的化合物在高温下结晶化而制造CIG3元系合金的第1工序，

将所述CIG3元系合金粉碎而制造CIG3元系合金粉末的第2工序，以及

在粉碎了的所述CIG3元系合金中混合硒和由Ia族与VIa族元素构成的化合物，使其在高温下结晶化而制造CIGS4元系合金的第3工序；

其中，所述Ia族元素为钠，

通过所述制造方法来制造防止因In单体和Se单体的混合、钠单体与水的化学反应而引起的发热、爆炸的含Na的CIGS4元系合金。

2.根据权利要求1所述的光吸收层用合金的制造方法，其特征在于，

所述制造CIG3元系合金的第1工序和所述制造CIGS4元系合金的第3工序中的温度为1000～1100℃，所述制造CIG3元系合金的第1工序结束后恢复到室温，在室温将所述CIG3元系合金粉碎，混合硒和由Ia族与VIa族元素构成的化合物。

3.根据权利要求2所述的光吸收层用合金的制造方法，其特征在于，

所述制造CIG3元系合金的第1工序和所述制造CIGS4元系合金的第3工序都进行下述温度控制：将温度以1小时100℃以下进行升温，将1000～1100℃的温度维持6小时以上，将温度以1小时100℃以上进行降温并恢复到室温。

4.根据权利要求1所述的光吸收层用合金的制造方法，其特征在于，

所述制造CIG3元系合金的第1工序中的铜、铟和镓被真空封入到安瓿中，以及，

所述制造CIGS4元系合金的第3工序中的粉碎了的CIG3元系合金、硒和由Ia族与VIa族元素构成的化合物被真空封入到安瓿中。

5.根据权利要求4所述的光吸收层用合金的制造方法，其特征在于，所述安瓿被碳覆盖。

6.根据权利要求5所述的光吸收层用合金的制造方法，其特征在于，

所述安瓿为石英玻璃。

7.一种光吸收层用合金的制造方法，其特征在于，是制造包含铜、铟、镓、硒、硫和Na元素的光吸收层用合金的方法，其具备下述工序：

使包含铜、铟、镓的化合物在高温下结晶化而制作CIG3元系合金的第1工序，

将所述CIG3元系合金粉碎而制成CIG3元系合金粉末的第2工序，以及

在粉碎了的所述CIG3元系合金中混合硒、硫和包含硒化钠的化合物，使其在高温下结晶化而制作CIGSS5元系合金的第3工序；

通过所述制造方法来制造防止因In单体和Se单体的混合、钠单体与水的化学反应而引起的发热、爆炸的含Na的CIGSS5元系合金。

8.一种光吸收层用合金的制造方法，是制造包含铜、铟、镓、硒、硫和Na元素的光吸收层用合金的方法，其具备下述工序：

使包含铜、铟、镓的化合物在高温下结晶化而制作CIG3元系合金的第1工序，

将所述CIG3元系合金粉碎而制成CIG3元系合金粉末的第2工序，以及

在粉碎了的所述CIG3元系合金中混合硒、硫和包含硫化钠的化合物，使其在高温下结晶化而制作CIGSS5元系合金的第3工序；

通过所述制造方法来制造防止因In单体和Se单体的混合、钠单体与水的化学反应而引起的发热、爆炸的含Na的CIGSS5元系合金。

9.根据权利要求7或8所述的光吸收层用合金的制造方法，其特征在于，

在所述制造CIG3元系合金的第1工序和所述制造CIGSS5元系合金的第3工序中，混合后的原材料被真空封入到安瓿中。

10.根据权利要求9所述的光吸收层用合金的制造方法，其特征在于，所述安瓿被碳覆盖。

11.根据权利要求10所述的光吸收层用合金的制造方法，其特征在于，

所述安瓿为石英玻璃。

12.一种光吸收层用溅射靶的制造方法，其特征在于，具备下述光吸收层用合金切片工序：通过权利要求1～11中任一项所述的光吸收层用合金的制造方法制造光吸收层用合金并将所述光吸收层用合金切片，制造光吸收层溅射靶。