[发明专利]用于存储器设备的上电检测系统

权利要求书

1.一种用于存储器设备的上电检测方法，所述方法包括：

a)从所述存储器设备的存储器阵列的只读存储器(ROM)行读取测试字；

b)将所述测试字与预定ROM行数据比较；

c)如果所述测试字与所述预定ROM行数据匹配，则：

c.1)在第一时间从所述存储器阵列的用户编程行读取第一用户数据；

c.2)在不同于所述第一时间的第二时间从所述存储器阵列的所述用户编程行读取第二用户数据；以及

c.3)将所述第一用户数据与所述第二用户数据比较，

其中，在所述第一用户数据与所述第二用户数据匹配时，检测到对所述存储器设备的上电。

2.根据权利要求1所述的上电检测方法，还包括：

d)如果所述测试字的至少一个比特与所述预定ROM行数据的对应比特失配，则：

d.1)等待预定的等待时间；以及

d.2)重复a)至d)。

3.根据权利要求1所述的上电检测方法，还包括：

c.4)如果所述第一用户数据的至少一个比特与所述第二用户数据的对应比特失配，则：

c.4.1)等待预定的等待时间；以及

c.4.2)重复a)至c)。

4.根据权利要求1所述的上电检测方法，还包括:

c.4)如果所述第一用户数据与所述第二用户数据匹配，则使能所述存储器设备的正常操作。

5.根据权利要求1所述的上电检测方法，其中，所述用户编程行包括一次性编程(OTP)存储器单元，所述第一用户数据包括第一OTP数据，并且所述第二用户数据包括第二OTP数据。

6.根据权利要求1所述的上电检测方法，其中，a)包括从所述ROM行向寄存器中读取所述测试字，并且其中，所述预定ROM行数据在多个比较器中被预先配置，其中，b)包括通过所述多个比较器将所述测试字与所述预定ROM行数据比较。

7.根据权利要求6所述的上电检测方法，其中，所述测试字是第一测试字，所述ROM行是第一ROM行，所述预定ROM行数据是第一预定ROM行数据，并且所述多个比较器还预先配置有第二预定ROM行数据，所述方法还包括：

c.0.1)从所述存储器设备的所述存储器阵列的第二只读存储器(ROM)行读取第二测试字；

c.0.2)通过所述多个比较器将所述第二测试字与所述第二预定ROM行数据比较；以及

c.0.3)仅当所述第二测试字与所述第二预定ROM行数据匹配时，执行c.1)至c.3)。

8.根据权利要求7所述的上电检测方法，其中，所述第二ROM行是所述第一ROM行，并且所述第二预定ROM行数据是所述第一预定ROM行数据。

9.根据权利要求1所述的上电检测方法，还包括：

c.1.1)从所述存储器阵列的不同的用户编程行读取虚拟用户数据。

10.根据权利要求1所述的上电检测方法，其中，c.1)包括向数据寄存器的主锁存器中读取所述第一用户数据，所述方法还包括c.1.1)将所述第一用户数据移位至所述数据寄存器的从锁存器中，并且其中，c.2)包括向所述数据寄存器的所述主锁存器中读取所述第二用户数据，以及c.3)包括将所述从锁存器中的所述第一用户数据与所述主锁存器中的所述第二用户数据比较。

11.根据权利要求1所述的上电检测方法，其中，所述测试字是第一测试字，并且所述ROM行是第一ROM行，所述方法还包括：

a.1)从所述存储器设备的所述存储器阵列的第二ROM行读取第二测试字，所述第二测试字通过预定义的逻辑运算或数学运算与所述第一测试字相关；

a.2)基于所述预定义的逻辑运算或数学运算来变换所述第二测试字由此产生经变换的测试字，其中，所述预定ROM行数据是所述经变换的测试字。