[发明专利]喷嘴单元以及具有该喷嘴单元的基板处理设备

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置，更具体地说，涉及喷嘴单元和批量式的基板处理设备。

背景技术

随着设备(Device)逐渐实现高集成化，要求杂质少且具有优异的阶梯覆盖能力(step coverage)的薄膜蒸镀。作为薄膜的蒸镀方法，存在化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition)、原子层沉积法(Atomic Layer Deposition)等各种方式，并且正在广泛使用。

但是，在这样的薄膜蒸镀装置中，喷嘴由石英材质形成，因此被来自加热基板的加热器的辐射热加热，由此，通过喷嘴向基板提供的反应气体也被加热，被加热的反应气体进行热分解后供给至基板。

上述那样的现象，在通常的LP-CVD方式中，具有在凉的反应气体供给至基板之前进行预加热(预备加热)的效果，从而对气体化学反应有效。但是，在薄膜工艺中需要抑制气体分解来在高温的基板区域直接与基板表面进行反应的薄膜气体的情况下，若由于热而进行热分解，则向基板供给的气体的浓度和寿命降低，从而使薄膜品质下降。

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的实施例提供一种能够稳定地供给臭氧气体等不耐热的气体的喷嘴单元以及基板处理设备。

本发明的实施例提供一种能够防止喷嘴的温度上升的喷嘴单元以及基板处理设备。

本发明的目的并不限定于此，本领域技术人员可由下面的记载明确地理解未提起的其它目的。

用于解决问题的手段

根据本发明的一个方面，可提供一种喷嘴单元，包括：第一管：第一管：具有多个喷射口；热反射构件，屏蔽并反射向所述第一管的内部传递的热能。

另外，所述热反射构件可以是配置在所述第一管的内侧面和外侧面中的至少一面上的硅类镀膜。

另外，所述热反射构件可包括盖板，该盖板由硅类材料形成，并包围所述第一管的一部分。

另外，所述喷嘴单元还可包括：第二管，包围所述第一管，并且在与所述多个喷射口中的每一个喷射口相同的线上分别形成有多个贯通口；连接管，用于连接所述第一管的喷射口和所述第二管的贯通口，并喷射供给至所述第一管的气体。

另外，可在所述第二管的内侧面和外侧面中的至少一面上镀敷有所述热反射膜。

根据本发明的另一方面，可提供一种基板处理设备，包括：工艺管，容置用于收纳多个基板的装载器，加热器组件，以包围所述工艺管的方式设置，喷嘴单元，向所述工艺管的内部供给用于在所述基板的表面上形成薄膜的工艺气体；所述喷嘴单元包括用于屏蔽并反射来自所述加热器组件的热能的热反射构件。

另外，所述热反射构件可包括配置在内侧面和外侧面中的至少一面上的热反射膜。

另外，所述喷嘴单元可包括：第一管，具有多个喷射口，并且形成有用于供给工艺气体的第一通道；盖板，由硅类材料形成，并包围所述第一管的一部分。

另外，所述喷嘴单元可包括：第一管，具有多个喷射口，并且形成有用于供给工艺气体的第一通道；第二管，在与所述多个喷射口中的每一个喷射口相同的线上分别形成有多个贯通口，并且包围所述第一管，以防止所述工艺气体的温度上升，在该第二管中流动有冷却气体；连接管，用于连接所述第一管的喷射口和所述第二管的贯通口，并喷射供给至所述第一管的工艺气体。

另外，可在所述第一管以及所述第二管各自的内侧面和外侧面中的至少一面上镀敷有所述热反射膜。

另外，所述热反射膜可以是硅类镀膜。

发明的效果

根据本发明，通过镀敷于喷嘴单元的热切断膜或者盖板来反射以及屏蔽来自加热器组件的辐射热，从而具有能够抑制喷嘴单元内部的温度上升的特别的效果。

另外，在本发明中，不仅在第一管上镀敷有热切断膜，而且在第二管上也镀敷有热切断膜，从而双重、三重地反射以及屏蔽辐射热，从而能够防止通过第一管喷射的气体在到达基板之前进行热分解。

附图说明

图1是示出本发明的一个实施例的喷嘴单元的图。

图2以及图3是示出热反射膜的形式的热反射构件的图。

图4是示出被热反射膜屏蔽以及反射热能的情况的图。

图5是示出以盖板形式配置的热反射构件的图。

图6是示出本发明的一个实施例的基板处理设备的概略性的结构的剖视图。

图7是图6所示的喷嘴单元的立体图。

图8是喷嘴单元的主要部分的放大剖视图。

图9是图7所示的喷嘴单元的俯视剖面图。

具体实施方式