[发明专利]具有纳米线存取晶体管的DRAM

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

沟槽电容器(12、14、16)，所述沟槽电容器(12、14、16)嵌入基板(8)中并且包括内部电极(16)、节点电介质(14)和外部电极(12)：

导电顶盖结构(18)，所述导电顶盖结构(18)覆在所述内部电极上方并与之接触；

半导体纳米线(30N)，所述半导体纳米线(30N)覆在所述基板中的绝缘体层(20)上；

源区(62)，所述源区(62)接触所述半导体纳米线的一端；以及

源侧金属半导体合金部分(72)，所述源侧金属半导体合金部分(72)接触所述源区，

其中所述半导体纳米线(30N)与所述绝缘体层的平整顶表面垂直分隔开，并且所述半导体纳米线的纵向方向平行于所述绝缘体层的所述平整顶表面，并且其中所述绝缘体层的所述平整顶表面与所述绝缘体层的与所述导电顶盖结构(18)邻接的弯曲顶表面邻接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括环绕式栅电极部分(36)，所述环绕式栅电极部分(36)围绕所述半导体纳米线的中心部分并且通过栅电介质与所述半导体纳米线分隔开。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，还包括横向接触所述环绕式栅电极部分的所有侧壁的至少一个栅分隔件。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述至少一个栅分隔件(52)接触所述平整顶表面。

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述半导体纳米线的与所述半导体纳米线的纵向方向垂直的端面与所述至少一个栅分隔件的外表面的垂直部分垂直地重合。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括源扩展区，所述源扩展区位于所述半导体纳米线的一端内并且接触所述源区。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中在所述源区和所述半导体纳米线的交界面内，所述源区的垂直表面接触所述半导体纳米线的垂直表面，所述源区的所述垂直表面的面积大于所述半导体纳米线的所述垂直表面。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括接触所述半导体纳米线的端面的漏区(64)。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述源区延伸到所述半导体纳米线的最底部表面下方，并且在与所述半导体纳米线的纵向方向垂直的水平方向上横向地延伸超出所述半导体纳米线的最靠外的横向表面。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括通过栅电极部分，所述通过栅电极部分覆在所述沟槽电容器上并且与所述沟槽电容器电隔离。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，还包括至少一个半导体材料部分，所述至少一个半导体材料部分在所述通过栅电极部分的一部分下面并且横向接触所述导电顶盖结构(18)。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中所述至少一个半导体材料部分中的每一个与被环绕式栅电极部分围绕的所述半导体纳米线内的本体区具有相同的组分和厚度。

13.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：

在包括操纵基板、埋入绝缘体层(20)和顶部半导体层的绝缘体上半导体基板(8)中，形成包括内部电极(16)、节点电介质(14)和外部电极(12)的沟槽电容器(12、14、16)；

在所述内部电极上方形成导电顶盖结构；

用所述顶部半导体层的一部分形成包括半导体纳米线(30N)和环绕式半导体部分(30D)的图案化的半导体材料结构(30P)，所述环绕式半导体部分(30D)横向接触所述导电顶盖结构(18)；

去除所述半导体纳米线的与所述环绕式半导体部分(30D)邻接的部分，其中，所述半导体纳米线的端面被物理暴露；

通过沉积至少一种导电材料，在物理暴露的所述端面和所述导电顶盖结构之间形成导电路径，

其中所述半导体纳米线(30N)与所述埋入绝缘体层的平整顶表面垂直分隔开，并且所述半导体纳米线的纵向方向平行于所述埋入绝缘体层的所述平整顶表面，并且其中所述埋入绝缘体层的所述平整顶表面与所述埋入绝缘体层的与所述导电顶盖结构邻接的弯曲顶表面邻接。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括从所述半导体纳米线下面去除所述埋入绝缘体层的上部部分。