[发明专利]半导体构造及形成半导体构造的方法

权利要求书

1.一种半导体构造，其包括：

导电柱，其垂直地延伸穿过半导体裸片；所述柱具有高于所述裸片的背侧表面的导电上部表面，且具有在所述背侧表面与所述导电上部表面之间延伸的导电垂直侧壁表面；

光敏材料，其在所述背侧表面上方且与所述背侧表面物理接触；所述光敏材料直接抵靠所述导电侧壁表面且沿着所述导电侧壁表面；

开口，其部分地延伸穿过所述光敏材料，所述开口围绕所述导电柱；

第一导电材料，其直接抵靠所述柱的所述导电上部表面；所述导电材料被配置为所述柱上方的帽；所述帽具有横向向外延伸超出所述柱且环绕所述柱的边缘，所述边缘位于所述开口中；所述边缘的整体在所述光敏材料正上方；及

第二导电材料，其位于第一导电材料上方并位于所述开口中。

2.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述光敏材料的在所述帽的所述边缘正下方的上部表面低于所述柱的上部表面。

3.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述光敏材料的邻近所述柱的上部表面与所述柱的上部表面大致共面。

4.根据权利要求3所述的半导体构造，其中所述光敏材料的在所述帽的所述边缘正下方的上部表面高于所述柱的上部表面。

5.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述导电材料的所述边缘的所述整体直接抵靠所述光敏材料。

6.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述光敏材料包括选自由以下各项组成的群组的一或多种材料：含硅氧烷材料、含环氧丙烯酸酯材料、含聚酰亚胺材料及含聚(苯并恶唑)材料。

7.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述光敏材料直接抵靠所述半导体裸片的半导体材料。

8.根据权利要求1所述的半导体构造，其中一或多种电绝缘材料介于所述光敏材料与所述半导体裸片的半导体材料之间。

9.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述柱包括铜。

10.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述柱包括铜及沿着所述铜的导电铜势垒材料。

11.一种半导体构造，其包括：

多个导电柱，其垂直地延伸穿过半导体裸片；所述柱具有高于所述裸片的背侧表面的导电上部表面，且具有在所述背侧表面与所述上部表面之间延伸的导电垂直侧壁表面；

光敏材料，其在所述背侧表面上方且与所述背侧表面物理接触；所述光敏材料直接抵靠所述导电侧壁表面且沿着所述导电侧壁表面；

开口，其部分延伸穿过所述光敏材料，所述开口的每一者环绕所述导电柱的一者；

第一导电材料，其直接抵靠所述柱的所述导电上部表面且在所述光敏材料的邻近所述柱的区域的正上方；

所述光敏材料具有在介于所述第一导电材料之间的区域中的第一厚度及在所述第一导电材料正下方的区域中的第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；所述第二厚度区域的上部表面低于所述柱的所述上部表面；及

第二导电材料，其位于所述第一导电材料上方并延伸进入所述开口中。

12.根据权利要求11所述的半导体构造，其中所述第二厚度区域向外延伸超出所述第一导电材料的边缘。

13.一种半导体构造，其包括：

多个导电柱，其垂直地延伸穿过半导体裸片；所述柱具有高于所述裸片的背侧表面的导电上部表面，且具有在所述背侧表面与所述上部表面之间延伸的导电垂直侧壁表面；

光敏材料，其在所述背侧表面上方且与所述背侧表面物理接触；所述光敏材料直接抵靠所述导电侧壁表面且沿着所述导电侧壁表面；

多个凹入，其位于所述光敏材料中，

所述光敏材料具有在介于所述柱之间的区域中的第一厚度及在所述凹入中邻近所述柱的区域中的第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；所述第一厚度区域的上部表面高于所述柱的所述上部表面；

第一导电材料，其位于所述柱的上方并延伸进入所述凹入中；且

第二导电材料，其位于所述第一导电材料上方并延伸进入所述凹入中。

14.根据权利要求13所述的半导体构造，其中所述第二厚度区域的上部表面与所述导电柱中的至少一些导电柱的上部表面大致共面。