[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201380027705.6 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104813452A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 森隆弘 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;王娟娟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，具有：
半导体衬底，其具有主表面，在所述主表面上具有第一凹部及第二凹部；
元件分离绝缘膜，其分别形成于所述第一凹部内及所述第二凹部内；以及
一对杂质区域，其成为在所述主表面上以夹着所述第一凹部及所述第二凹部的方式形成的一对源极/漏极区域及一对发射极/集电极区域的某一对，
所述一对杂质区域的一个区域为第一导电类型，
所述半导体器件还具有：
第二导电类型的第一区域，其成为在所述一个区域和所述第一凹部之间的所述主表面上形成的沟道形成区域；
栅电极层，其隔着栅极绝缘膜形成在所述第一区域上，并且至少延伸到所述第一凹部内的所述元件分离绝缘膜上，
所述第一凹部及所述第二凹部配置成：夹着与所述第一凹部及所述第二凹部各自的底部相比向所述主表面侧突出的衬底凸部而相互相邻。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述衬底凸部是被所述第一凹部及所述第二凹部夹着的活性区域，
所述活性区域的所述主表面具有比所述一个区域的所述主表面中的第一导电类型的杂质浓度低的第一导电类型的杂质浓度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述衬底凸部是被所述第一凹部及所述第二凹部夹着的活性区域，
所述半导体器件还具有第二导电类型的第二区域，该第二区域形成于所述活性区域的所述主表面上。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，
所述第二区域形成得比所述第一凹部及所述第二凹部浅。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，
所述第二区域形成得比所述第一凹部及所述第二凹部深。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述衬底凸部是被所述第一凹部及所述第二凹部夹着的活性区域，
所述半导体器件还具有：
第二导电类型的第二区域，其形成于所述活性区域的所述主表面上；
第一导电类型的第三区域，其形成于所述活性区域的所述主表面上，且与所述第二区域相邻。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述衬底凸部是被所述第一凹部及所述第二凹部夹着的活性区域，
所述半导体器件还具有导电层，该导电层隔着绝缘膜形成在所述活性区域上。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，
所述导电层与所述栅电极层分离地形成。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，
所述导电层形成为与所述栅电极层成为一体。
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