[发明专利]分层结构中的电触头有效
申请号: | 201380028474.0 | 申请日: | 2013-03-27 |
公开(公告)号: | CN104411621B | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
发明(设计)人: | 保罗·曼斯基;卡尔派斯·比亚尼 | 申请(专利权)人: | 凯姆控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B05D3/10;B05D1/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 王玉双 |
地址: | 维尔京群岛*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分层 结构 中的 电触头 | ||
1.一种分层结构,包括:
纳米结构层,具有相对的第一表面和第二表面,所述纳米结构层包括多个纳米结构;以及
涂层,具有相对的内表面和外表面,所述涂层的所述内表面覆盖所述纳米结构层的所述第二表面,所述涂层具有从所述涂层的所述内表面延伸至所述涂层的所述外表面的多个导电塞,使所述涂层的所述外表面为导电的表面,所述导电塞配置成放置为与所述纳米结构层电连通。
2.如权利要求1所述的分层结构,所述多个导电塞随机分布或图案化分布在所述涂层中。
3.如权利要求1-2中任一项所述的分层结构,其中所述导电塞的一部分延伸超出所述涂层的所述外表面。
4.如权利要求1所述的分层结构,其中所述涂层包括接触区域,并且所述导电塞形成在所述接触区域内。
5.如权利要求4所述的分层结构,其中所述涂层包括多个接触区域,并且每个所述接触区域中形成有多个导电塞。
6.如权利要求5所述的分层结构,其中所述接触区域大于1mm2。
7.如权利要求1所述的分层结构,其中所述导电塞为包括银、铜、石墨以及碳中至少之一的浆料或为包括银、铜、石墨以及碳中至少之一的环氧树脂。
8.如权利要求1所述的分层结构,其中所述导电塞包括一个或多个纳米颗粒。
9.如权利要求1所述的分层结构,还包括与所述纳米结构层的所述第一表面邻近的起偏器。
10.如权利要求1所述的分层结构,其中所述涂层的所述内表面粘附至所述纳米结构层的所述第二表面。
11.如权利要求10所述的分层结构,其中所述涂层包括可重新流动的聚合物。
12.如权利要求11所述的分层结构,其中所述可重新流动的聚合物包括至少一种选自以下的材料:聚甲基丙烯酸甲酯;溶解的粉末涂覆树脂;甲基丙烯酸甲酯、羟基官能单体、羧酸酯官能单体、胺单体和环氧树脂单体的共聚物。
13.如权利要求11或12所述的分层结构,其中所述涂层包括至少一种选自可UV固化树脂、封闭型异氰酸酯以及基于三聚氰胺的交联剂的材料。
14.如权利要求11所述的分层结构,其中所述可重新流动的涂层为包括由下式表示的丙烯酸脂单体的聚合物或共聚物:
其中,R1为氢或烷基,
L为直接键、亚烷基链或烯化氧链;
R2为氢、羟基、氨基、缩水甘油基、取代的或未取代的烷基以及取代的或未取代的芳基,氨基包括单取代氨基、双取代氨基。
15.一种显示器,包括:
纳米结构层,具有相对的第一表面和第二表面,所述纳米结构层包括多个纳米结构;
涂层,具有相对的内表面和外表面,所述涂层的所述内表面覆盖所述纳米结构层的所述第二表面,所述涂层中具有从所述涂层的所述内表面延伸至所述涂层的所述外表面的多个导电塞,使所述涂层的所述外表面为导电的表面,所述导电塞具有第一端部和第二端部,其中所述第一端部配置成放置为与所述纳米结构层电连通,所述第二端部从所述涂层被暴露;以及
基底,与所述纳米结构层的所述第一表面邻近。
16.如权利要求15中所述的显示器,其中所述导电塞包括一个或多个纳米颗粒。
17.如权利要求15-16中任一项所述的显示器,其中所述导电塞的所述第二端部延伸超出所述涂层的所述外表面。
18.如权利要求17所述的显示器,其中所述多个导电塞随机分布或图案化分布在所述涂层中。
19.如权利要求15所述的显示器,其中所述涂层还包括一个或多个接触区域,并且每个所述接触区域中定位有多个导电塞。
20.如权利要求15所述的显示器,其中所述涂层的所述内表面粘附至所述纳米结构层的所述第二表面。
21.如权利要求20所述的显示器,其中所述涂层包括可重新流动的聚合物。
22.如权利要求21所述的显示器,其中所述涂层包括至少一种选自可UV固化树脂、封闭型异氰酸酯以及基于三聚氰胺的交联剂的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造