[发明专利]分层结构中的电触头有效
申请号: | 201380028474.0 | 申请日: | 2013-03-27 |
公开(公告)号: | CN104411621B | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
发明(设计)人: | 保罗·曼斯基;卡尔派斯·比亚尼 | 申请(专利权)人: | 凯姆控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B05D3/10;B05D1/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 王玉双 |
地址: | 维尔京群岛*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分层 结构 中的 电触头 | ||
相关申请的交叉引用
本申请根据35U.S.C.§119(e)要求于2012年3月29日提交的第61/617,581号美国临时申请以及于2013年3月15日提交的第13/839,689号美国专利申请的权益,上述申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及一种分层结构中的电触头。
背景技术
导电纳米结构已用于形成被称为纳米结构层的薄导电膜。在纳米结构层中,通过导电纳米结构间的连续物理接触建立了一个或多个导电路径。一般而言,可通过沉积包括液态载体和多个导电纳米结构的液态分散体(或涂覆组合物)来形成纳米结构层。当液态分散体变干时,形成了网络化纳米结构的纳米结构层。纳米结构层对于在平板电致变色显示器中的各种用途而言是适当地透明的,一个这种用途为作为透明电极。
发明内容
根据本公开的诸方面,提供了结构的实施方式。该结构包括具有相对的第一表面和第二表面的导电纳米结构层,并且纳米结构层包括多个纳米结构。该结构还包括具有相对的内表面和外表面的涂层。涂层的内表面覆盖纳米结构层的第二表面。涂层具有从涂层的内表面延伸至涂层的外表面的导电塞。导电塞配置成放置为与纳米结构层电连通。在一个实施方式中,纳米结构或纳米线层的涂层包括可重新流动的聚合物,其中该可重新流动的聚合物可包括聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA);溶解的粉末涂覆树脂;甲基丙烯酸甲酯、羟基官能单体、羧酸酯官能单体、胺单体和环氧树脂单体的共聚物。涂层还可包括可UV固化的树脂、封闭型异氰酸酯和/或基于三聚氰胺的交联剂和/或其他粘附促进剂,以增强涂层与纳米线层的粘附。
根据本公开的诸方面,提供了显示器的实施方式。该显示器包括具有相对的第一表面和第二表面的纳米结构层,并且纳米结构层包括多个纳米结构。该显示器还包括具有相对的内表面和外表面的涂层。涂层的内表面覆盖纳米结构层的第二表面。涂层中具有导电塞。导电塞具有第一端部和第二端部,其中第一端部配置成放置为与纳米结构层电连通,以及第二端部从涂层被暴露。纳米结构层还包括与纳米结构层的第一表面邻近的基底。在一个实施方式中,涂层包括可重新流动的聚合物,并且还可包括可UV固化的树脂、封闭型异氰酸酯和/或基于三聚氰胺的交联剂和/或其他粘附促进剂,以增强涂层与纳米结构层的粘附。
根据本公开的诸方面,提供了结构的另一实施方式。该结构包括具有相对的第一表面和第二表面的纳米结构层。纳米结构层包括多个纳米结构。该结构还包括具有相对的内表面和外表面的涂层。涂层的内表面覆盖纳米结构层的第二表面。该结构还包括与涂层的侧表面邻近的导电触头。导电触头具有与纳米结构层电连通的表面。
根据本公开的诸方面,提供了形成包括纳米结构层的方法,其中该纳米结构层具有表面并且包括多个纳米结构。该方法包括在纳米结构层的表面上形成具有相对的第一表面和第二表面的涂层,以及在涂层中形成空隙。空隙从第一表面延伸至第二表面。该方法还包括利用导电材料至少部分地填充空隙。
根据本公开的诸方面,提供了形成分层结构的另一方法。分层结构包括具有表面的纳米结构层,并且该纳米结构层包括多个纳米结构。该方法包括在纳米结构层的表面上形成具有相对的第一表面和第二表面的涂层以及将导电塞沉积至涂层中。
导电塞具有第一部分和第二部分,其中第一部分配置成放置为与纳米结构层电连通,以及第二部分从涂层被暴露。该方法还包括使涂层硬化。在一个实施方式中,如本文中所限定的,涂层包括可重新流动的聚合物。更具体地,可重新流动的聚合物可包括:PMMA;溶解的粉末涂覆树脂;甲基丙烯酸甲酯、羟基官能单体、羧酸酯官能单体、胺单体和环氧树脂单体的共聚物。涂层还可包括可UV固化的树脂、封闭型异氰酸酯、基于三聚氰胺的交联剂和/或其他粘附促进剂。在一个实施方式中,在形成涂层之后并且在将导电塞沉积至涂层中之前,可将分层结构存储达27周。
附图说明
在附图中,相同的附图标记指示相似的元件。附图中元件的尺寸和相对位置并不必须按比例示出。例如,角和各元件的形状没有按比例示出,并且将一些元件随意地放大和定位,以提高附图的可读性。此外,所示元件的具体形状并不旨在传递关于具体元件实际形状的任何信息,并且仅为了在附图中便于识别而进行的选择。
图1是根据本公开的诸方面的一个分层结构实施方式的一部分的剖视图;
图2A-图2C是根据本公开的诸方面的结构的一部分的剖视图;
图3A-图3D示出了根据本公开的诸方面的用于使用埋入式触头形成导电触头的实施方式;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造