[发明专利]摄像装置、半导体装置及摄像单元

说明书

摄像装置(10)包括：摄像芯片(30)，其在第1主面(30SA)上具有受光部(31)和形成于受光部(31)的周围的电极焊盘(32)，在第2主面(30SB)上具有借助贯穿布线(33)与电极焊盘(32)相连接的外部连接电极(34)；透明的玻璃盖片(20)，其俯视尺寸大于所述摄像芯片(30)的俯视尺寸；透明的粘接层(41)，其用于粘接所述摄像芯片(30)的第1主面(30SA)与玻璃盖片(20)之间；以及密封构件(42)，其覆盖所述摄像芯片(30)的侧面和粘接层(41)的侧面，并由与玻璃盖片(20)的俯视尺寸相同的俯视尺寸的绝缘材料构成。

技术领域

本发明涉及利用WL－CSP法制造的摄像装置、半导体装置及摄像单元。

背景技术

为了半导体装置的小型化，采用了芯片尺寸封装(CSP)法。在CSP中，在半导体芯片上形成有到达第2主面的贯穿布线，该半导体芯片在第1主面上形成有半导体电路部，第2主面的外部连接端子与布线板相连接。

在此，在小型的摄像装置中，在形成有作为半导体电路部的受光部的摄像芯片的第1主面上接合有用于保护受光部的透明支承构件。为了一并制作多个摄像装置，采用了晶圆级芯片尺寸封装(WL－CSP)法。在WL－CSP中，在形成有多个受光部的摄像芯片基板与透明支承基板之间借助粘接层相粘接的接合晶圆的状态下进行贯穿布线形成等的加工，之后单片化为各个摄像装置。

但是，在以往的WL－CSP中，在摄像芯片基板的摄像芯片的成品率较低的情况下，具有不合格受光部的摄像芯片也被加工为摄像装置，因此制造成本增大。另外，伴随着半导体晶圆的大口径化，加工设备也需要全部对应大口径，设备投资费用增大且制造成本增大，因此生产率降低。

另外，利用以往的WL－CSP法制造的摄像装置的由半导体构成的摄像芯片和粘接层暴露于侧面。因此若金属构件接触摄像装置的侧面，则有可能会产生噪声。另外，由于粘接层而导致耐湿性不充分，因此有可能粘接面产生剥离或变色。即，利用以往的WL－CSP制造的摄像装置有时可靠性并不高。

另外，在日本国特开2011－243596号公报中公开了一种基于CSP法的封装元件的制造方法，在该制造方法中，利用密封树脂将安装于硅晶圆的安装面的半导体芯片密封之后，对硅晶圆自与安装面相反的面进行研磨加工等，进而单片化为各个封装元件。

即，在上述制造方法中，半导体芯片未被加工，硅晶圆被加工而成为半导体芯片的中介层。

由于利用WL－CSP法制造的摄像装置超小型，因此特别适合配置于内窥镜的插入部的顶端部。

但是，内窥镜的顶端部在消毒/灭菌工序等中暴露于高温高湿度下。因此，在摄像装置的摄像芯片的密封构件使用了透湿度不好的树脂的情况下，不易确保摄像装置的可靠性。例如，若水分经由密封树脂侵入，则在受光部与透明支承构件之间具有透明粘接层的情况下，有可能粘接层变质且局部变得不透明并摄入摄像图像中。另外，在受光部与透明支承构件之间存在由空气或非活性气体构成的气隙的情况下，有可能浸入到气隙内的水分结露、且还是摄入摄像图像中。

发明内容

发明要解决的问题

本发明的实施方式的目的在于提供可靠性较高的摄像装置、可靠性较高的半导体装置及可靠性较高的摄像单元。

用于解决问题的方案

本发明的实施方式的摄像装置包括：摄像芯片，其在第1主面上具有受光部和形成于所述受光部的周围的电极焊盘，在第2主面上具有借助贯穿布线与所述电极焊盘相连接的连接电极；透明的支承基板部，其俯视尺寸大于所述摄像芯片的俯视尺寸；透明的粘接层，其用于粘接所述摄像芯片的所述第1主面与所述支承基板部之间；以及密封构件，其覆盖所述摄像芯片的侧面和所述粘接层的侧面，并由与所述支承基板部的俯视尺寸相同的俯视尺寸的绝缘材料构成。