[发明专利]显示装置、半导体装置和制造显示装置的方法

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

晶体管部分，包括栅极绝缘膜、半导体层和栅电极层，该半导体层层叠在该栅极绝缘膜上，该栅电极层叠在该栅极绝缘膜的该半导体层的相反侧以使得该栅电极层形成在该栅极绝缘膜与基板之间；

第一电容器部分，包括第一金属膜和第二金属膜，该第一金属膜设置在与配线层相同的层级，该配线层电连接至该半导体层且设置在该晶体管部分之上，该第二金属膜设置在该第一金属膜之上，该第一金属膜和该第二金属膜之间具有第一层间绝缘膜；以及

显示元件，构造为由该晶体管部分控制，

其中该第一电容器部分包括在该第一电容器部分的平面中的至少一个凹陷部分，

其中该凹陷部分的底部与该晶体管部分的该栅极绝缘膜接触。

2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括提供在该第一电容器部分之下的第二电容器部分，其中该第二电容器部分包括绝缘膜、另外的半导体层和金属膜，该绝缘膜设置在与该栅极绝缘膜相同的层级，该另外的半导体层设置在与该半导体层相同的层级，该金属膜设置在与该栅电极层相同的层级。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中该配线层和该第一金属膜整体形成，该配线层电连接到该半导体层。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其中该凹陷部分形成在所述第二电容器部分之上，并且该第一电容器部分的该第一金属膜电连接到该第二电容器部分的一个电极膜。

5.根据权利要求1所述的显示装置，还包括第二层间绝缘膜，其提供在该晶体管部分之上且包括至少一个通孔，其中该第一电容器部分提供在该第二层间绝缘膜之上，并且该凹陷部分形成在该通孔中。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中该第二层间绝缘膜包括两个或更多个通孔作为该通孔，并且该第二层间绝缘膜在与另一个通孔的相邻部分和非相邻部分之间的厚度不同。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中该第一层间绝缘膜形成在该配线层之上。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中该第一层间绝缘膜由氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺和丙烯酸树脂的任何一个或者任何两个或更多个构造。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中该第一层间绝缘膜具有分层结构，该分层结构包括由高介电常数材料构成的至少一个层。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中该高介电常数材料是相对介电常数为10或更大的材料。

11.一种显示装置，包括：

晶体管部分，包括栅极绝缘膜、半导体层和栅电极层，该半导体层层叠在该栅极绝缘膜上，该栅电极层叠在该栅极绝缘膜的该半导体层的相反侧以使得该栅电极层形成在该栅极绝缘膜与基板之间；

第一电容器部分，包括第一金属膜和第二金属膜，该第一金属膜设置在与配线层相同的层级，该配线层电连接至该半导体层且设置在该晶体管部分之上，该第二金属膜设置在该第一金属膜之上，该第一金属膜和该第二金属膜之间具有第一层间绝缘膜；以及

显示元件，构造为由该晶体管部分控制，

其中该第一电容器部分包括在该第一电容器部分的平面中的至少一个凹陷部分，

其中该凹陷部分的底部与其上设有该晶体管部分的所述基板接触。

12.一种半导体装置，包括：

晶体管部分，包括栅极绝缘膜、半导体层和栅电极层，该半导体层层叠在该栅极绝缘膜上，该栅电极膜层叠在该栅极绝缘膜的与该半导体层相反的一侧以使得该栅电极层形成在该栅极绝缘膜与基板之间；以及

第一电容器部分，包括第一金属膜和第二金属膜，该第一金属膜设置在与配线层相同的层级，该配线层电连接到该半导体层且设置在该晶体管部分之上，该第二金属膜设置在该第一金属膜之上，该第一金属膜和该第二金属膜之间具有第一层间绝缘膜，

其中该第一电容器部分包括在该第一电容器部分的平面中的至少一个凹陷部分，

其中该凹陷部分的底部与该晶体管部分的该栅极绝缘膜接触。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，还包括提供在该第一电容器部分之下的第二电容器部分，其中该第二电容器部分包括绝缘膜、另外的半导体层和金属膜，该绝缘膜设置在与该栅极绝缘膜相同的层级，该另外的半导体层设置在与该半导体层相同的层级，该金属膜设置在与该栅电极层相同的层级。