[发明专利]显示装置、半导体装置和制造显示装置的方法

说明书

技术领域

本公开涉及显示装置、半导体装置和制造显示装置的方法。

背景技术

在诸如液晶显示器或有机电致发光(EL)显示器的平板显示器中，有源矩阵薄膜晶体管(TFT)已经广泛地用于驱动面板的驱动晶体管。每个像素提供有这样的TFT使其能控制每个像素的明暗，与无源矩阵方法相比获得较高的图像质量和较高的对比度。

而且，在这样的平板显示器中，一直追求的是性能上的进一步改进。例如，已经提出了一种技术，在这种技术中，TFT的栅极绝缘膜和电容器的介电膜制作在不同的层中以允许最佳介电膜的选择不受TFT材料的限制(例如，参见专利文件1)。这样的介电膜例如允许选择介电常数高于栅极绝缘膜的材料，或者与栅极绝缘膜相同材料的较小厚度，从而增加每单位面积的电容。

引用列表

专利文件

PTL 1：JP 2008-102262A

发明内容

然而，在专利文件1中，在与栅电极相同层中的金属膜用于电容器的一个电极，由于电容器的布置方案或材料的限制，导致妨碍薄膜晶体管性能改进的缺点。

因此，希望提供使其能改进性能的显示装置、半导体装置和制造显示装置的方法。

根据本技术方案实施例的显示装置包括：晶体管部分，包括栅极绝缘膜、半导体层和栅电极层，该半导体层层叠在栅极绝缘膜上，栅电极膜层叠在栅极绝缘膜的与半导体层的相反的侧上；第一电容器部分，包括第一金属膜和第二金属膜，第一金属膜设置在与配线层相同的层级，配线层电连接到半导体层且设置在晶体管部分之上，第二金属膜设置在第一金属膜之上，第一金属膜和第二金属膜之间具有第一层间绝缘膜；以及显示元件，构造为由晶体管部分驱动。

根据本技术方案实施例的半导体装置包括晶体管部分和电容器部分，并且晶体管部分和电容器部分与上述显示装置的晶体管部分和第一电容器部分具有类似的构造。

根据本技术方案实施例的制造显示装置的方法包括如下(A)至(C)。

(A)通过层叠栅电极、栅极绝缘膜和半导体层形成晶体管部分；

(B)通过在晶体管部分之上沉积配线层和第一金属膜且在第一金属膜之上隔着第一层间绝缘膜沉积第二金属膜而形成第一电容器部分，配线层电连接到半导体层，第一金属膜设在与配线层相同的层级；

(C)形成显示元件，该显示元件构造为由晶体管部分控制。

在根据本技术方案上述实施例的显示装置、半导体装置和制造显示装置的方法中，构成电容器(第一电容器部分)的金属膜与晶体管部分提供在不同层中。这提供电容器材料的较大选择自由度。

根据上述实施例的显示装置、半导体装置和制造显示装置的方法，构成电容器(第一电容器部分)的金属膜与晶体管部分提供在不同层中。这提供电容器材料的较大选择自由度，有利于整个配线电阻的减小。因此，能够提供高性能的显示装置。

附图说明

图1是示出有机电致发光(EL)显示装置的一个构造示例的示意图。

图2是示出有机EL显示装置的电路构造一个示例的示意图。

图3A是示出根据第一实施例的TFT和电容器构造的平面图。

图3B是示出图3A所示TFT和电容器构造的截面图。

图4A是示出图3B所示TFT和电容器制造工艺的截面图。

图4B是示出图4A后续工艺的截面图。

图5A是示出图4B后续工艺的截面图。

图5B是示出图5A后续工艺的截面图。

图6A是示出根据第二实施例的TFT和电容器构造的平面图。

图6B是示出图6A所示TFT和电容器构造的截面图。

图7A是示出根据第三实施例的TFT和电容器构造的平面图。

图7B是示出图7A所示TFT和电容器构造的截面图。

图8A是示出根据第三实施例的TFT和电容器另一个构造的平面图。

图8B是示出图8A所示TFT和电容器构造的截面图。

图9A是示出根据第四实施例的TFT和电容器构造的平面图。

图9B是示出图9A所示TFT和电容器构造的截面图。

图10A是示出图9B所示TFT和电容器制造工艺的截面图。

图10B是示出图10A后续工艺的截面图。

图11是示出根据第五实施例的TFT和电容器构造的截面图。

图12是示出根据第五实施例的TFT和电容器另一个构造的截面图。

图13A是示出根据第六实施例的TFT和电容器构造的平面图。