[发明专利]高纯度多晶硅的制造方法有效
| 申请号： | 201380031327.9 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN104395236B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 船崎和则;佐藤一臣;宫尾秀一 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;C01B33/035 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本，*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯度 多晶 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高纯度多晶硅的制造方法，使用氯硅烷类通过CVD法来制造高纯度多晶硅，其特征在于，
通过GC/MS-SIM法对包含甲基二氯硅烷和异戊烷的含碳杂质量进行分析来判定合格与否，基于以目标多晶硅的碳含量的允许值为基准而设定的含碳杂质量允许值来设定判定基准，将满足被设定为判定基准的条件的三氯硅烷用作所述氯硅烷类。
2.如权利要求1所述的高纯度多晶硅的制造方法，其中，成为基于所述GC/MS-SIM法的分析对象的所述含碳杂质为甲基二氯硅烷和异戊烷。
3.如权利要求1或2所述的高纯度多晶硅的制造方法，其中，所述判定基准为：作为所述含碳杂质的甲基硅烷类为0.01ppmw以下，并且烃类为0.05ppmw以下。
4.如权利要求1或2所述的高纯度多晶硅的制造方法，其中，基于所述GC/MS-SIM法的杂质分析使用串联连接非极性柱和中等极性柱而得到的柱作为分离柱进行成分的分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社，未经信越化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380031327.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：汽油添加剂、其制备方法和使用方法
- 下一篇：抗老化化妆品组合物
